[发明专利]微蚀刻剂和配线基板的制造方法

权利要求书

1.一种微蚀刻剂，其为用于铜的表面粗化的铜微蚀刻剂，

其特征在于，其为含有无机酸、铜(II)离子源、卤化物离子源及聚合物的酸性水溶液，且

所述聚合物为侧链含有氨基或季铵基的重均分子量1000以上的水溶性聚合物，

作为所述无机酸，可含有硫酸根离子源，

在将所述硫酸根离子源的摩尔浓度设为Cs(mol/L)，将所述卤化物离子源的摩尔浓度设为Ch(mol/L)时，0≤Cs/Ch≤0.004，

所述卤化物离子源的摩尔浓度为所述铜(II)离子源的摩尔浓度的3.875倍以下，且

微蚀刻剂中的卤化物离子的浓度为0.5～3(mol/L)。

2.如权利要求1所述的微蚀刻剂，其中，所述铜(II)离子源的摩尔浓度为0.01～2(mol/L)。

3.如权利要求1所述的微蚀刻剂，其中，所述卤化物离子源的摩尔浓度为0.05～5(mol/L)。

4.如权利要求2所述的微蚀刻剂，其中，所述卤化物离子源的摩尔浓度为0.05～5(mol/L)。

5.如权利要求1至4中任一项所述的微蚀刻剂，其中，所述聚合物的重量浓度为0.0005～2(g/L)。

6.一种配线基板的制造方法，其为含有铜层的配线基板的制造方法，

其特征在于，其具有使铜层的表面与权利要求1至5中任一项所述的微蚀刻剂接触而使所述铜层的表面粗化的粗化处理步骤。

7.如权利要求6所述的配线基板的制造方法，其中，所述铜层的与所述微蚀刻剂接触的面的表面由压延铜构成。

8.如权利要求6或7所述的配线基板的制造方法，其中，在所述粗化处理步骤中，将由酸性水溶液构成的补充液添加至所述微蚀刻剂中，所述酸性水溶液含有无机酸、卤化物离子源及聚合物，且

所述补充液中的所述聚合物为侧链含有氨基或季铵基的重均分子量1000以上的水溶性聚合物。