[发明专利]磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法在审
| 申请号： | 202080006107.0 | 申请日： | 2020-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN113207309A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 冈俊介;栗田英树;铃木健二 | 申请（专利权）人： | JX金属株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磷化 铟基板 半导体 外延 晶片 以及 制造 方法 | ||
1.一种磷化铟基板，其特征在于，
所述磷化铟基板具有用于形成外延晶体层的主面和所述主面的相反侧的背面，
在使所述磷化铟基板的所述背面朝上的状态下测定出的、所述背面的SORI值为2.5μm以下。
2.根据权利要求1所述的磷化铟基板，其中，
在使所述磷化铟基板的所述背面朝上的状态下测定出的、所述背面的SORI值为1.6～2.5μm。
3.根据权利要求2所述的磷化铟基板，其中，
在使所述磷化铟基板的所述背面朝上的状态下测定出的、所述背面的SORI值为1.6～2.5μm，基板的直径为100mm以下。
4.根据权利要求2所述的磷化铟基板，其中，
在使所述磷化铟基板的所述背面朝上的状态下测定出的、所述背面的SORI值为1.6～1.8μm，基板的直径为76.2mm以下。
5.根据权利要求1所述的磷化铟基板，其中，
在使所述磷化铟基板的所述背面朝上的状态下测定出的、所述背面的SORI值为1.7μm以下，基板的直径为50.8mm以下。
6.一种半导体外延晶片，其在权利要求1～5中任一项所述的磷化铟基板的所述主面上具备外延晶体层。
7.一种权利要求1～5中任一项所述的磷化铟基板的制造方法，其包括：
利用钢丝锯从磷化铟的锭切出晶片的工序；
对所述切出的晶片进行蚀刻的工序；
进行所述蚀刻后的晶片的外周部分的倒角的工序；
对所述倒角后的晶片的至少一个表面进行研磨的工序；以及
对所述研磨后的晶片进行蚀刻的工序，
所述利用钢丝锯从磷化铟的锭切出晶片的工序包括：一边使金属线在水平方向上往复一边始终持续输送新线，并且使载有所述磷化铟的锭的载物台朝向所述金属线在铅垂方向上移动的工序，
所述金属线的新线供给速度为10～60m/分钟，所述金属线的往复速度为300～350m/分钟，载有所述磷化铟的锭的载物台的铅垂方向移动速度为200～400μm/分钟，所述钢丝锯的磨料的粘度为300～400mPa·s，
在对所述切出的晶片进行蚀刻的工序，从两面合计只蚀刻5～15μm，
在对所述研磨后的晶片进行蚀刻的工序，从两面合计只蚀刻8～15μm。
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