[发明专利]光学粒子分析仪的校准验证

权利要求书

1.一种用于独立于粒子确定光学粒子分析仪的校准状态的方法，所述方法包括以下步骤：

提供光学粒子分析仪，所述光学粒子分析仪包括：

电磁辐射(EMR)源，用于产生所述EMR的射束；

腔室，用于容纳样品介质并用于接收所述EMR的射束；

光学组件，所述光学组件与所述EMR源光学连通，用于将所述EMR的射束引导到所述腔室；

检测器，用于检测来自所述EMR的射束的散射辐射；

光学收集系统，用于将来自所述腔室的所述EMR的射束的所述散射辐射引导到所述检测器；

调制施加到所述EMR源的功率；

响应于所述调制步骤，诱发具有低频时域的检测器信号波形；

分析所述检测器信号波形以确定与所述EMR源、所述光学组件、所述腔室、所述检测器和所述光学收集系统中的一个或多个相关联的至少一个诊断参数的值；

基于所述至少一个诊断参数的一个或多个确定的值来确定所述光学粒子分析仪的所述校准状态；

其中，对于存在于所述光学粒子分析仪中的一个或多个粒子，并且响应于调制施加到所述EMR源的功率的步骤，生成具有高于所述低频时域的中频时域的粒子检测信号，从而避免检测器信号的所述低频时域与所述粒子检测信号的所述中频时域之间的不期望的干扰；

从而独立于粒子确定所述光学粒子分析仪的所述校准状态。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述EMR源是激光器。

3.根据权利要求2所述的方法，进一步包括以下步骤：

施加高频时域激光器刻面驱动电流频率，以在高频时域调制施加到所述激光器的电流，以防止空间跳模；

其中，所述高频时域具有比所述中频时域更高的频率，并且不干扰所述中频时域或所述低频时域中的任何一个。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中：

所述高频时域大于或等于100MHz，包括约249MHz；

所述中频时域选自1kHz/7kHz与200MHz之间的范围；和/或

所述低频时域范围小于或等于500Hz。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中，所述光学粒子分析仪中的所述一个或多个粒子来自：所述分析仪的残留污染物；和/或来自在确定所述校准状态的同时由所述光学粒子分析仪分析的样品中的粒子。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在存在与所述EMR的射束相互作用的粒子的情况下确定所述校准状态。

7.根据权利要求1-6所述的方法，进一步包括利用低频带通滤波器和高频带通滤波器对粒子检测系统进行滤波以获得所述中频时域的步骤。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中，所述腔室包括流动腔室。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中，所述样品介质是流体，所述方法进一步包括在所述调节步骤期间使所述流体流过所述流动腔室。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述流动步骤包括过滤所述流动腔室上游的所述流体。

11.根据权利要求1-10中任一项所述的方法，其中，所述样品介质包括粒子。

12.根据权利要求1-11中任一项所述的方法，其中，所述调制步骤进一步包括将施加到所述EMR源的功率从第一功率电平切换到第二功率电平。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述切换步骤还包括根据切换波形切换施加到所述EMR源的功率，所述切换波形具有频率、占空比、对应于所述第一功率电平的第一切换幅度以及对应于所述第二功率电平的第二切换幅度。