[发明专利]发光装置

权利要求书

1.一种发光装置，包括：

封装基板，具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上设置有图案化导电层，该图案化导电层通过一隔离区至少分为两个彼此电性隔离的第一区域和第二区域；

LED芯片，设置于所述封装基板的平面之上，具有相对的上表面、下表面，以及侧壁，所述下表面设置有第一电极和第二电极，其中第一电极电连接至所述图案化导层层的第一区域，第二电极电连接至所述图案化导电层的第二区域；

封装层，覆盖所述LED芯片和图案化导电层；

其特征在于：所述封装层覆盖在所述LED芯片上表面的厚度小于或者等于所述LED芯片的厚度，该封装层在所述LED芯片对应的位置形成一凸形的光学结构，且该光学结构在所述LED芯片侧壁对应位置具有一曲面，所述LED芯片发射的光经该光学结构向外射出，该发光装置的发光角度为120°以上；

其中，所述LED芯片的厚度为T₂₀，所述封装层在所述LED芯片正上方的中心位置具有一第一厚度T₃₁，在所述LED芯片边缘位置具有一第二厚度T₃₂，在所述LED芯片的外周边形成的平坦区具有第三厚度T₃₃，所述T₂₀、T₃₁、T₃₂和T₃₃的关系如下：1.5T₂₀≥T₃₃≥T₃₁≥T₃₂≥100μm。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：所述光学结构包括位于所述LED芯片正上方的顶表面，所述顶表面与所述LED上表面所在平面的夹角为0~40°。

3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：所述封装层覆盖在所述LED芯片的外周边的图案化导电层的部分具有一平坦区，该平坦区的厚度小于或者等于所述LED芯片的厚度的1.5倍。

4.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：T₃₁、T₃₂和T₃₃的关系如下：400μm≥T₃₃≥T₃₁≥T₃₂≥100μm。

5.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于：0≤T₃₃-T₃₁≤50μm。

6.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于：所述第一厚度T₃₁与所述LED芯片的厚度T₂₀关系为：1.2T₂₀≥T₃₁≥0.5T₂₀，且0μm≤T₃₁-T₃₂≤50μm。

7.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于：所述第一厚度T₃₁与所述LED芯片的厚度T₂₀关系为：150μm≤T₃₁≤T₂₀，且0μm＜T₃₁-T₃₂≤100μm。

8.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：所述LED芯片厚度大于或者等于350μm，所述封装层在所述LED芯片正上方的厚度小于或者等于所述LED芯片的厚度的五分之四。

9.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：所述LED芯片的厚度小于或者等于300μm，所述封装层在所述LED芯片正上方的厚度大于或者等于所述LED芯片厚度的0.5倍且小于或者等于所述LED芯片的厚度。

10.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：所述封装层在所述LED芯片正上方的厚度大于或者等于100μm且小于200μm，或者大于或者等于200μm且小于300μm，或者大于或者等于300μm且小于400μm。