[发明专利]用于TMR磁传感器的底部引线化学机械平坦化

权利要求书

1.一种隧穿磁阻(TMR)传感器装置，其包括：

衬底：

底部引线，其安置于所述衬底上方，所述底部引线通过化学机械平坦化(CMP)工艺来形成；

TMR传感器堆叠，其耦合到所述底部引线；及

顶部引线，其耦合到所述TMR传感器堆叠。

2.根据权利要求1所述的TMR传感器装置，其中所述底部引线具有小于或等于2埃的表面粗糙度。

3.根据权利要求1所述的TMR传感器装置，其中所述底部引线包括具有不同表面粗糙度的交替的导电层。

4.根据权利要求3所述的TMR传感器装置，其中所述交替的导电层包括不同材料。

5.根据权利要求4所述的TMR传感器装置，其中至少一个导电层是非晶的。

6.根据权利要求5所述的TMR传感器装置，其中所述交替的导电层的第一层包括铜，且所述交替的导电层的第二层包括钽。

7.根据权利要求1所述的TMR传感器装置，其进一步包括邻近于所述底部引线的顶部表面安置的CMP终止层。

8.根据权利要求1所述的TMR传感器装置，其中所述底部引线的表面粗糙度与所述TMR传感器堆叠的表面粗糙度相同。

9.一种制造TMR传感器装置的方法，其包括：

在衬底上方形成底部引线，其中所述形成包含：

在衬底上方沉积第一导电材料；

在所述第一导电材料上沉积第二导电材料，其中所述第一导电材料和所述第二导电材料是不同的；

在所述底部引线上方沉积光致抗蚀剂层；

选择性地去除所述底部引线的一部分；

邻近剩余的底部引线沉积电绝缘材料；

将CMP终止层沉积在所述电绝缘材料上；

对所述底部引线执行CMP工艺；

在所述底部引线上方形成TMR传感器堆叠；及

在所述TMR传感器堆叠上方形成顶部引线。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述CMP工艺将所述底部引线的顶部层的表面粗糙度缩减为小于或等于2埃。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述CMP终止层包括SiOx。

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述CMP终止层及所述电绝缘材料包括不同材料。

13.根据权利要求9所述的方法，其中形成所述底部引线包括至少一次重复所述沉积所述第一导电材料和沉积所述第二导电材料。

14.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一导电材料的厚度大于所述第二导电材料的厚度。

15.根据权利要求9所述的方法，其中最上面的第二导电膜在所述CMP工艺之后具有在约10nm与13nm之间的厚度。

16.一种用于制造底部引线的方法，其包括：

将交替的导电材料层沉积到衬底上以产生底部引线堆叠；

将CMP惰性金属膜层沉积在所述底部引线堆叠的顶部上；

围绕所述底部引线堆叠沉积外部绝缘材料；

在所述外部绝缘材料的顶部上沉积CMP终止层；及

使用抛光浆料对所述CMP惰性金属膜执行CMP工艺。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述交替的导电材料层是铜和钽。

18.根据权利要求16所述的方法，其中所述CMP惰性金属膜是钽。