[发明专利]图像传感器及其制作方法、搭载图像传感器的成像装置

说明书

一种图像传感器，包括：半导体衬底，具有第一表面和第二表面；位于半导体衬底上的感光区；读出电路，连接感光区；其中，感光区包括第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区靠近第一表面设置，第二掺杂区中形成有朝向第一表面延伸的沟槽，沟槽的槽壁上具有半导体层。能够提高成像效果。还提供了图像传感器的制作方法和成像装置。

技术领域

本申请涉及图像传感器技术领域，尤其涉及一种图像传感器及其制作方法、搭载图像传感器的成像装置。

背景技术

图像传感器广泛用于消费电子、安防监控、工业自动化、人工智能、物联网等领域，用于图像数据信息的采集和整理，为后续处理和应用提供信息源。

图像传感器按功能组成可以分为感光电路区和外围读取电路区。其中感光电路区的功能是负责把光信号，通过光电二极管转换成电信号并存储，然后交给后续外围读出电路用于转换成数字图像信号。

在实际应用中，环境中光照条件很复杂，有的很暗，有的很亮，即在某些环境下，明暗对比的十分强烈，因此图像传感器为了清晰的呈现图像暗处的细节，需要增加曝光时间，来增加暗处的信号量。但是，由于图像传感器整体的曝光时间是统一的，无法随不同空间区域的亮度改变曝光时间，当曝光时间较长时，图像中较亮的区域会产生过曝，呈现出一片死白，因此图像传感器的动态范围(Dynami c Range，DR)显得不足。

发明内容

基于此，本申请提供了一种图像传感器及其制作方法、搭载图像传感器的成像装置。

第一方面，本申请提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；

位于所述半导体衬底上的感光区，所述感光区在光照下能够产生光生载流子；

读出电路，所述读出电路连接至所述感光区，用于读出由所述光生载流子产生的电压信号；

其中，所述感光区包括第一导电类型的第一掺杂区和第二导电类型的第二掺杂区，所述第一掺杂区被设置于靠近所述第一表面，所述第二掺杂区被设置于第一掺杂区远离所述第一表面的一侧；所述第二掺杂区中形成有朝向所述第一表面延伸的沟槽，所述沟槽的槽壁上具有第一导电类型的半导体层。

第二方面，本申请提供了一种成像装置，搭载任一上述的图像传感器。

第三方面，本申请提供了一种图像传感器的制作方法，所述方法包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；

在所述半导体衬底上形成感光区，所述感光区包括第一导电类型的第一掺杂区和第二导电类型的第二掺杂区，所述第一掺杂区被设置于靠近所述第一表面，所述第二掺杂区被设置于第一掺杂区远离所述第一表面的一侧；

在所述半导体衬底上形成读出电路，所述读出电路连接所述感光区；

在所述第二掺杂区中形成朝向所述第一表面延伸的沟槽；

在所述沟槽的槽壁上形成具有第一导电类型的半导体层。

本申请实施例提供了一种图像传感器及其制作方法、搭载图像传感器的成像装置，可提高成像效果。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请的公开内容。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请一实施例提供的一种图像传感器的结构示意图；