[发明专利]溅射装置、薄膜制造方法

说明书

均匀地对溅射靶（14）进行溅射。在阴极电极（21）的单面配置有溅射靶（14），在相反的一侧的面平行地配置有多个磁铁装置（30subgt;1/subgt;、31subgt;1/subgt;~31subgt;4/subgt;、30subgt;2/subgt;）。在磁铁装置（30subgt;1/subgt;、31subgt;1/subgt;~31subgt;4/subgt;、30subgt;2/subgt;）的两端配置有可变磁场（47），所述可变磁场（47）具有将基础磁力部（71）形成的磁场和电磁铁部（73）形成的磁场合成后的磁场，通过控制在电磁铁部（73）中流动的励磁电流的朝向和大小，从而控制在电磁铁部（73）形成的磁极的极性和磁场强度，使可变磁铁（47）形成的磁场强度由于进行了溅射的成膜对象物（13）的增加而变小，从而使溅射面（24）上的磁场强度固定。

技术领域

本发明涉及溅射装置和薄膜制造方法。

背景技术

磁控溅射方法是在溅射靶表面形成磁场并且使电子在磁场中移动而效率良好地将溅射气体等离子体化的装置，被广泛地用于薄膜的形成。

图8（a）、（b）的附图标记130是在磁控溅射装置中使用的靶装置，在阴极电极121的单面配置有溅射靶114，在相反的一侧的面配置有多个磁铁装置131。

各磁铁装置131具有环状的外侧磁铁136以及在由外侧磁铁136包围的区域配置的直线状的内侧磁铁134，各磁铁装置131的外侧磁铁136的两个磁极之中的相同极性的磁极朝向阴极电极121，内侧磁铁134的两个磁极之中的与朝向阴极电极121的外侧磁铁136的磁极极性相反的磁极朝向阴极电极121。

向阴极电极121施加溅射电压，从溅射靶114表面放出的电子被由外侧磁铁136和内侧磁铁134在溅射靶114的表面形成的磁场捕捉，在溅射靶114的表面形成溅射气体的高密度的等离子体，溅射靶114的表面被溅射。

以高密度形成等离子体的场所是外侧磁铁136与内侧磁铁134之间的上方的区域，为了更宽广地对溅射靶114的表面进行溅射，使设置有各磁铁装置131的移动板145在与磁铁装置131的长尺寸方向垂直的方向移动而使高密度的等离子体在溅射靶114的表面移动。

可是，在磁铁装置131的两端的位置之上，磁场强度容易变强，在该场所形成的等离体子特别地变为高密度，溅射靶114被大量溅射。

而且，当在磁铁装置131的两端位置形成于靶的腐蚀的深度比其他的区域深时，溅射靶114的表面与磁铁装置131之间的距离比其他场所短，溅射靶114进一步被大量溅射。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平5-214527号公报；

专利文献2：日本特开平8-81769号公报；

专利文献3：日本特开2012-241250号公报；

专利文献4：日本特开2004-115841号公报；

专利文献5：日本特开2015-1734号公报；

专利文献6：KR101885123；

专利文献7：KR101924143。

发明内容

发明要解决的课题

本申请发明是为了解决上述现有技术的课题而创作的，使将永磁铁和电磁铁组合后的可变磁铁的磁场强度减少来使溅射面上的磁场强度不发生变化，能够在溅射面上均匀地溅射。

用于解决课题的方案