[发明专利]光电转换元件、光电转换元件的制造方法及太阳能电池在审
申请号: | 202080006603.6 | 申请日: | 2020-03-25 |
公开(公告)号: | CN113169280A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 冈本允子;筱原贵道;折井隼;早川明伸 | 申请(专利权)人: | 积水化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L51/44 | 分类号: | H01L51/44 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王永红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换 元件 制造 方法 太阳能电池 | ||
1.一种光电转换元件,其特征在于,含有通式AMX所示的钙钛矿化合物,在进行TOF-SIMS测定时,硝酸根离子与卤素离子的强度比即NO3/X为0.0010以上且小于0.2000,在通式AMX中,A为有机碱化合物和/或碱金属,M为铅或锡原子,X为卤素原子。
2.根据权利要求1所述的光电转换元件,其特征在于,在进行所述TOF-SIMS测定时,钾离子与铅或锡离子的强度比即K/M为0.4以上且小于2.0。
3.根据权利要求1或2所述的光电转换元件,其特征在于,在进行所述TOF-SIMS测定时,所述K/M为0.8以上,并且所述NO3/X为0.0030以上。
4.一种权利要求1、2或3所述的光电转换元件的制造方法,其特征在于,包括:
第1膜形成工序,将含有MNO3所示的金属硝酸盐和MX所示的金属卤化物的混合溶液即第1液制膜,其中,MNO3中的M为铅或锡原子,MX中的M为铅或锡原子,X为卤素原子;
第2膜形成工序,在所述第1膜上将AX的溶液即第2液制膜,其中,AX中的A为有机碱化合物或碱金属,X为卤素原子;以及
在第2膜形成工序后进行加热处理的工序。
5.根据权利要求4所述的光电转换元件的制造方法,其特征在于,第1液含有由KX表示的卤化钾,其中,X为卤素原子。
6.一种太阳能电池,其特征在于,依次具有阴极、权利要求1、2或3所述的光电转换元件和阳极。
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