[发明专利]摄像装置

权利要求书

1.一种摄像装置，其中，具备：

光电变换部，包括第1电极、与上述第1电极对置的第2电极、位于上述第1电极与上述第2电极之间并将入射光变换为信号电荷的光电变换层、以及位于上述光电变换层与上述第2电极之间的阻挡层；以及

电荷积蓄区域，与上述第2电极连接，用于积蓄上述信号电荷；

对于极性与上述信号电荷相反的电荷从上述第2电极向上述光电变换层的移动的、上述阻挡层的能量势垒是1.8eV以上；

对于上述电荷从上述光电变换层向上述第2电极的移动的、上述阻挡层的能量势垒是1.6eV以下。

2.如权利要求1所述的摄像装置，其中，

还具备电压供给电路；

在从上述光电变换部向上述电荷积蓄区域积蓄上述信号电荷的第1期间，上述电压供给电路向上述第1电极供给第1电压；

在积蓄于上述电荷积蓄区域中的上述信号电荷被复位的第2期间，上述电压供给电路向上述第1电极供给与上述第1电压不同的第2电压。

3.如权利要求1所述的摄像装置，其中，

上述信号电荷是空穴；

上述阻挡层的电子亲和力比上述第2电极的功函数小，上述阻挡层的电子亲和力与上述第2电极的功函数的差是1.8eV以上；

上述阻挡层的电子亲和力比上述光电变换层的电子亲和力小，上述阻挡层的电子亲和力与上述光电变换层的电子亲和力的差是1.6eV以下。

4.如权利要求3所述的摄像装置，其中，

上述阻挡层的电离势比上述光电变换层的电离势大。

5.如权利要求3或4所述的摄像装置，其中，

还具备电压供给电路；

在从上述光电变换部向上述电荷积蓄区域积蓄上述信号电荷的第1期间，上述电压供给电路向上述第1电极供给第1电压；

在积蓄于上述电荷积蓄区域中的上述信号电荷被复位的第2期间，上述电压供给电路向上述第1电极供给比上述第1电压小的第2电压。

6.如权利要求5所述的摄像装置，其中，

还具备设有上述电荷积蓄区域的半导体基板；

在上述第1期间，向上述半导体基板供给第3电压；

在上述第2期间，向上述半导体基板供给与上述第3电压不同的第4电压。

7.如权利要求6所述的摄像装置，其中，

上述第3电压比上述第1电压小；

上述第4电压比上述第2电压大。

8.如权利要求1所述的摄像装置，其中，

上述信号电荷是电子；

上述阻挡层的电离势比上述第2电极的功函数大，上述阻挡层的电离势与上述第2电极的功函数的差是1.8eV以上；

上述阻挡层的电离势比上述光电变换层的电离势大，上述阻挡层的电离势与上述光电变换层的电离势的差是1.6ev以下。

9.如权利要求8所述的摄像装置，其中，

上述阻挡层的电子亲和力比上述光电变换层的电子亲和力小。

10.如权利要求8或9所述的摄像装置，其中，

还具备电压供给电路；

在从上述光电变换部向上述电荷积蓄区域积蓄上述信号电荷的第1期间，上述电压供给电路向上述第1电极供给第1电压；

在积蓄于上述电荷积蓄区域中的上述信号电荷被复位的第2期间，上述电压供给电路向上述第1电极供给比上述第1电压大的第2电压。

11.如权利要求10所述的摄像装置，其中，

还具备设有上述电荷积蓄区域的半导体基板；

在上述第1期间，向上述半导体基板供给第5电压；

在上述第2期间，向上述半导体基板供给与上述第5电压不同的第6电压。

12.如权利要求11所述的摄像装置，其中，

上述第5电压比上述第1电压大；

上述第6电压比上述第2电压小。