[发明专利]一种负极复合材料及其应用

权利要求书

1.一种负极复合材料，其包括Si-M-C复合材料，所述Si-M-C复合材料的表面存在导电层，其中M包括硼、氮或氧中的至少一种，固体核磁共振测试所述Si-M-C复合材料中硅元素的化学位移包括-5ppm±5ppm、-35ppm±5ppm、-75ppm±5ppm、-110ppm±5ppm，且-5ppm±5ppm处的半峰宽K满足：7ppm＜K＜28ppm。

2.根据权利要求1所述的负极复合材料，其中，所述Si-M-C复合材料的Dv50为2.0μm至8.0μm；所述负极复合材料的Dv50为3.0μm至12.0μm。

3.根据权利要求1所述的负极复合材料，其中，所述导电层的厚度为1nm至100nm。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的负极复合材料，其中，所述导电层包含聚合物和导电碳材料。

5.根据权利要求4所述的负极复合材料，其中，所述导电层的重量占所述负极复合材料的总重量的0.05％至10％。

6.根据权利要求4所述的负极复合材料，其中，所述导电碳材料与所述聚合物的质量比为1：0.2至1：10。

7.根据权利要求4所述的负极复合材料，其中，所述导电碳材料包括单壁碳纳米管、多壁碳纳米管、碳纳米颗粒、碳纤维或石墨烯中的至少一种。

8.根据权利要求4所述的负极复合材料，其中，所述聚合物包含聚偏氟乙烯、羧甲基纤维素、羧甲基纤维素钠、聚乙烯基吡咯烷酮、聚丙烯酸、聚丁苯橡胶、聚丙烯酰胺、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺或上述物质衍生物中的至少一种。

9.一种负极极片，包括合剂层，所述合剂层包含权利要求1-8中任一项所述的负极复合材料。

10.一种电化学装置，包括权利要求9所述的负极极片。

11.一种电子装置，包括权利要求10所述的电化学装置。