[发明专利]负极材料、包含该材料的极片、电化学装置及电子装置

权利要求书

1.一种负极材料，包括含氧硅材料，所述含氧硅材料的Dv50为5.5μm至10μm，所述含氧硅材料的表面存在碳，所述含氧硅材料的拉曼图谱中，I₁₃₅₀与I₁₅₈₀之间满足：0＜I₁₃₅₀/I₁₅₈₀＜2.5；

所述含氧硅材料的拉曼图谱中，I_A表示拉曼图谱对应峰位为140 cm^-1±10 cm^-1时的峰强，I_D表示拉曼图谱对应峰位为470 cm^-1±10 cm^-1时的峰强，I_E表示拉曼图谱对应峰位为510 cm^-1±10 cm^-1时的峰强；

未充放电循环的负极材料满足：0＜I_A/I_D＜2，且0＜I_E /I_A＜5；

充放电循环400次后的负极材料满足：0＜I_A/I_D＜2，且I_E/I_A=0。

2.根据权利要求1所述的负极材料，其中，所述含氧硅材料的化学式表示为SiO_x，0.5＜x＜1.6。

3.一种负极极片，包括合剂层，所述合剂层包含粘结剂及权利要求1-2中任一项所述的负极材料。

4.根据权利要求3所述的负极极片，所述合剂层中还包含石墨，所述石墨包括天然石墨或人造石墨中的至少一种。

5.根据权利要求3所述的负极极片，所述负极极片中，所述含氧硅材料占所述合剂层质量的1%至99%。

6.一种电极组件，包括权利要求3-5任一项所述的负极极片。

7.一种电化学装置，包括权利要求6所述的电极组件。

8.根据权利要求7所述的电化学装置，其中，所述电化学装置的膨胀率为5.9%至9.1%。

9.一种电子装置，包括权利要求7或8所述的电化学装置。