[发明专利]具有包括两个自由层的一个TMR叠堆的磁传感器阵列

权利要求书

1.一种隧道磁阻(TMR)传感器装置，包括：

第一TMR传感器；和

第二TMR传感器，其中所述第二TMR传感器包括被设置成彼此接触的两个不同的磁性层。

2.根据权利要求1所述的TMR传感器装置，其中所述第一TMR传感器具有磁性材料顶层和与所述顶层接触的层，其中所述第二TMR传感器包括磁性材料顶层，所述磁性材料顶层的厚度基本上等于所述第一TMR传感器的所述磁性材料顶层和与所述第一TMR传感器的所述磁性材料顶层接触的所述层的厚度。

3.根据权利要求1所述的TMR传感器装置，其中所述第一TMR传感器具有第一自由磁性层、设置在所述第一自由磁性层上的间隔层和设置在所述间隔层上的第二自由磁性层，其中所述第一自由磁性层和所述第二自由磁性层反平行地磁性耦合。

4.根据权利要求3所述的TMR传感器装置，其中所述第二TMR传感器包括第一自由磁性层和设置在所述第一自由磁性层上的第二自由磁性层，其中所述第一自由磁性层和所述第二自由磁性层平行地磁性耦合。

5.根据权利要求4所述的TMR传感器装置，其中所述第二TMR传感器的所述第二自由磁性层比所述第二TMR传感器的所述第一自由磁性层厚。

6.根据权利要求1所述的TMR传感器装置，还包括：

第三TMR传感器；和

第四TMR传感器，其中所述第一TMR传感器和所述第三TMR传感器基本上相同。

7.根据权利要求6所述的TMR传感器装置，其中所述第四TMR传感器和所述第二TMR传感器基本上相同。

8.一种TMR传感器装置，包括：

第一隧道磁阻(TMR)传感器，其中所述第一TMR传感器包括自由层；和

第二TMR传感器，其中所述第二TMR传感器包括与所述第一TMR传感器自由层不同的自由层。

9.根据权利要求8所述的TMR传感器装置，其中所述第一TMR传感器包括不平衡的合成反铁磁自由层。

10.根据权利要求9所述的TMR传感器装置，其中所述第二TMR传感器的所述自由层是多层结构。

11.根据权利要求10所述的TMR传感器装置，其中所述第二TMR传感器的所述自由层包括第一磁性层和设置在所述第一磁性层上的第二磁性层。

12.根据权利要求11所述的TMR传感器装置，其中所述第一磁性层和所述第二磁性层平行地磁性耦合。

13.根据权利要求12所述的TMR传感器装置，其中所述第一TMR传感器的所述不平衡的合成反铁磁自由层的底层与所述第二TMR传感器的所述自由层的所述第一磁性层基本上相同。

14.一种制造TMR传感器装置的方法，所述方法包括：

制造第一隧道磁阻(TMR)传感器和第二TMR传感器；

从所述第二TMR传感器移除第一层；

从所述第二TMR传感器移除第二层以暴露自由磁性层；以及

在所暴露的自由磁性层上沉积磁性层。

15.根据权利要求14所述的方法，其中在从所述第二TMR传感器移除所述第一层之前，所述第一TMR传感器和所述第二TMR传感器基本上相同。

16.根据权利要求14所述的方法，其中所述磁性层的厚度基本上等于所述第一层和所述第二层组合的厚度。

17.根据权利要求14所述的方法，其中移除所述第二TMR传感器的所述第一层包括离子铣削所述第一层。