[发明专利]形成非对称厚度氧化物沟槽的方法

权利要求书

1.一种制造具有一个或多个沟槽的半导体器件的方法，所述一个或多个沟槽具有绝缘层，其中具有绝缘层的所述一个或多个沟槽使用以下步骤制造：

执行蚀刻过程以形成所述一个或多个沟槽；

在所述一个或多个沟槽的下表面和侧壁上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上方沉积亲水层；

在所述一个或多个沟槽中沉积光刻胶材料，其中沉积光刻胶材料包括暴露所述一个或多个沟槽的第一侧的上部区域上的亲水层；

执行湿蚀刻过程以将所述一个或多个沟槽的所述第一侧的侧壁上的绝缘层蚀刻到所述光刻胶材料的表面下方的预定距离处；

去除所述光刻胶材料；

去除所述亲水层；以及

在执行所述湿蚀刻过程、去除所述光刻胶材料并且去除所述亲水层之后，在所述一个或多个沟槽的所述第一侧的所述侧壁上形成第二绝缘层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成第一绝缘层包括形成厚绝缘层，以及

其中，在所述厚绝缘层上方沉积亲水层，以及

其中，形成第二绝缘层包括在所述一个或多个沟槽的所述第一侧的所述侧壁上形成薄绝缘层，其中，所述薄绝缘层比所述厚绝缘层更薄。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成第一绝缘层包括形成薄绝缘层，以及

其中，形成第二绝缘层包括在所述薄绝缘层上方形成厚绝缘层，其中，所述薄绝缘层比所述厚绝缘层更薄。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述方法还包括在生长所述薄绝缘层之后沉积填充材料。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述亲水层包括氮化物。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述亲水层的厚度介于和之间。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，使用缓冲氧化物蚀刻来实施执行湿蚀刻的步骤。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述缓冲氧化物蚀刻包括氢氟酸。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，形成厚绝缘层包括使用硅局部氧化过程热生长厚氧化物层。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中，形成厚绝缘层包括沉积厚氧化物层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，使用原硅酸四乙酯(TEOS)实施沉积厚氧化物层。

12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述厚绝缘层的厚度介于和之间。

13.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，生长薄绝缘层包括在900℃至1100℃下热生长薄氧化物层。

14.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述薄绝缘层的厚度介于到之间。

15.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述方法包括制造具有非对称绝缘层的一个或多个沟槽。

16.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述方法包括制造具有对称绝缘层的一个或多个沟槽，以及

其中，沉积光刻胶材料包括暴露在所述一个或多个沟槽的两侧的上部区域上的亲水层，以及

其中，所述方法还包括：

执行湿蚀刻过程以将所述一个或多个沟槽的两个侧壁上的所述绝缘层蚀刻到所述光刻胶材料的表面下方的预定距离处；以及

在所述一个或多个沟槽的所述两个侧壁上生长薄绝缘层。