[发明专利]氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶在审
| 申请号： | 202080007374.X | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN113348562A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 寺前裕美;西山功兵;越智元隆;后藤裕史 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;C23C14/08;C23C14/34;H01L21/28;H01L21/363;H01L29/24;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 日本兵库县神户市*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 薄膜 薄膜晶体管 溅射 | ||
1.一种氧化物半导体薄膜，其具有第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层，
所述第一氧化物半导体层及所述第二氧化物半导体层分别包含作为金属元素的In、Ga、Zn及Sn，以及O，
所述第一氧化物半导体层中的各金属元素相对于所述In、Ga、Zn及Sn的合计的原子数比满足
0.05≦In/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.25
0.20≦Ga/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60
0.20≦Zn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60
0.05≦Sn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.15，
所述第二氧化物半导体层中的各金属元素相对于所述In、Ga、Zn及Sn的合计的原子数比满足
0.20≦In/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60
0.05≦Ga/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.25
0.15≦Zn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60
0.01≦Sn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.20。
2.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜，其中在所述第一氧化物半导体层中，In相对于In及Sn的合计的原子数比满足
0.30≦In/(In+Sn)≦0.75。
3.一种薄膜晶体管，其在基板上依序具有栅极电极、栅极绝缘膜、包含如权利要求1或2所述的氧化物半导体薄膜的氧化物半导体层、源极/漏极电极及保护膜。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中所述源极/漏极电极包含Cu或Cu合金。
5.一种溅射靶，其用以形成如权利要求3所述的薄膜晶体管中的所述第一氧化物半导体层，且
所述溅射靶包含作为金属元素的In、Ga、Zn及Sn，以及O，
各金属元素相对于所述In、Ga、Zn及Sn的合计的原子数比满足
0.05≦In/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.25
0.20≦Ga/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60
0.20≦Zn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60
0.05≦Sn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.15。
6.一种溅射靶，其用以形成如权利要求4所述的薄膜晶体管中的所述第一氧化物半导体层，且
所述溅射靶包含作为金属元素的In、Ga、Zn及Sn，以及O，
各金属元素相对于所述In、Ga、Zn及Sn的合计的原子数比满足
0.05≦In/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.25
0.20≦Ga/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60
0.20≦Zn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60
0.05≦Sn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.15。
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