[发明专利]在低Tg

权利要求书

1.包含组分a)、b)和c)的组合物，其中

a)是嵌段共聚物组分或至少两种嵌段共聚物的共混物，

b)是选自由低聚无规共聚物b-1)、低聚二嵌段共聚物b-2)、低聚二嵌段共聚物b-3)及其混合物组成的组的低T_g添加剂，其中

b-1)是具有结构(Ib)和结构(IIb)的两个重复单元的低聚无规共聚物，其中R_1b和R_3b独立地选自H或C-1至C-4烷基，R_2b是H或C-1至C-8烷基，R_4b是C-1至C-8烷基，并且

基于结构(Ib)和(IIb)的重复单元的总摩尔数，结构(Ib)的重复单元的摩尔％值是约40摩尔％至约80摩尔％，并且结构(IIb)的重复单元的摩尔％值是约20摩尔％至约60摩尔％，并且

其中结构(Ib)和(IIb)的重复单元的摩尔％的各个值选自它们各自的范围以使结构(Ib)和(IIb)的重复单元的总摩尔数加起来为100摩尔％；并且进一步地

所述低聚无规共聚物b-1)的T_g为约0℃至约80℃，M_n为约1000g/mol至约8000g/mol，并且多分散性为约1.3至约1.8，

b-2)是嵌段A-b)和嵌段B-b)的低聚二嵌段共聚物，其M_n为约1,000至35,000且多分散性为1.0至约1.1，其中

嵌段A-b)是具有结构(III)和(IV)的重复单元的无规共聚物，和嵌段B-b)是具有结构(V)和(VI)的重复单元的无规共聚物，并且

R₅、R₇、R₉和R₁₁独立地选自H或C-1至C-4烷基，R₆为C-7 至C-10直链烷基，R₈为C-1至C-4烷基，R₁₀为C-1至C-4烷基，R₁₂和R₁₃独立地选自C-2至C-5亚烷基，并且R₁₄为C-1至C-4烷基，并且所述低聚二嵌段共聚物b-2)的T_g值为约0℃至约95℃，

并且

b-3)是具有结构(Ic)的重复单元的嵌段A-c)和具有结构(IIc)的重复单元的嵌段B-c)的低聚二嵌段共聚物，其中R_1c和R_3c独立地选自H或C-1至C-4烷基，R_2c为H或C-1至C-8烷基，R_4c为C-1至C-8烷基，并且

基于结构(Ic)和(IIc)的重复单元的总摩尔数，结构(Ic)的重复单元的摩尔％值为约36摩尔％至约74摩尔％并且结构(IIc)的重复单元的摩尔％值为约26摩尔％至约64摩尔％，并且结构(Ic)和(IIc)的重复单元的摩尔％的各个值选自它们各自的范围以使结构(Ic)和(IIc)的重复单元的总摩尔数加起来为100摩尔％；并且

所述低聚二嵌段共聚物b-2)的M_n为约1000g/mol至约30000g/mol，多分散性为约1.0至约1.1且T_g为约0℃至约115℃，

c)是旋转浇注有机溶剂。

2.权利要求1所述的组合物，其中所述组分a)选自单一三嵌段共聚物和至少两种三嵌段共聚物的共混物，或者单一二嵌段共聚物和至少两种二嵌段共聚物的共混物。