[发明专利]用于可调谐声阻尼的纳米空隙聚合物有效
申请号: | 202080008750.7 | 申请日: | 2020-01-09 |
公开(公告)号: | CN113316487B | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 雷纳特·伊娃·克莱门汀·兰迪格;肯尼斯·迪斯特;安德鲁·约翰·欧德柯克 | 申请(专利权)人: | 元平台技术有限公司 |
主分类号: | B06B1/06 | 分类号: | B06B1/06;B06B1/02;G01H9/00;G01H11/06;G10K11/162;G10K11/178;B82Y20/00;C03C17/00;G02F1/1516 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 张瑞;杨明钊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 可调 谐声 阻尼 纳米 空隙 聚合物 | ||
1.一种声学元件,包括:
主电极;
次电极,所述次电极与所述主电极的至少一部分重叠;以及
纳米空隙聚合物层,所述纳米空隙聚合物层被设置在所述主电极和所述次电极之间并邻接所述主电极和所述次电极,其中:
当第一电压施加在所述主电极和所述次电极之间时,所述纳米空隙聚合物层具有第一纳米空隙拓扑结构,
当与所述第一电压不同的第二电压施加在所述主电极和所述次电极之间时,所述纳米空隙聚合物层具有与所述第一纳米空隙拓扑结构不同的第二纳米空隙拓扑结构;以及
其中,当所述第一电压施加在所述主电极和所述次电极之间时,所述纳米空隙聚合物层具有第一声音衰减系数,并且当所述第二电压施加在所述主电极和所述次电极之间时,所述纳米空隙聚合物层具有与所述第一声音衰减系数不同的第二声音衰减系数;
其中,入射到所述纳米空隙聚合物层上的声波引起所述纳米空隙聚合物层中的电容的变化;以及
电容监测被配置为监测所述纳米空隙聚合物层的电容。
2.根据权利要求1所述的声学元件,其中,所述纳米空隙聚合物层在第一状态中具有所述第一纳米空隙拓扑结构,并且在第二状态中具有所述第二纳米空隙拓扑结构,所述第一状态包括未致动状态,以及所述第二状态包括致动状态。
3.根据权利要求1所述的声学元件,其中,所述纳米空隙聚合物层包括纳米空隙的周期性分布。
4.根据权利要求1所述的声学元件,其中,在所述纳米空隙聚合物层内的纳米空隙包括气体,所述气体选自包括以下项的组:空气、氮气、氧气、氩气、六氟化硫和有机氟化物。
5.根据权利要求1所述的声学元件,其中,声波通过在所述纳米空隙聚合物层两端施加AC电压来产生。
6.根据权利要求1所述的声学元件,所述声学元件的特征在于在可见光谱内至少50%的光学透明度。
7.根据权利要求1所述的声学元件,所述纳米空隙聚合物层包括BaTiO3、TiO2、CeO2、BaSrTiO3、PbLaZrTiO3、PbMgNbO3+PbTiO3、Ta2O3或Al2O3的颗粒。
8.根据权利要求7所述的声学元件,其中,BaTiO3、TiO2、CeO2、BaSrTiO3、PbLaZrTiO3、PbMgNbO3+PbTiO3、Ta2O3或Al2O3的所述颗粒被结合到纳米空隙中。
9.根据权利要求7所述的声学元件,其中,BaTiO3、TiO2、CeO2、BaSrTiO3、PbLaZrTiO3、PbMgNbO3+PbTiO3、Ta2O3或Al2O3的所述颗粒被结合到所述纳米空隙聚合物层的聚合物基体材料中。
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