[发明专利]半导体设备的缺陷分类和来源分析

权利要求书

1.一种缺陷分析计算系统，其包含：

(a)一或更多个处理器；

(b)程序指令，其用于在所述一或更多处理器上执行，所述程序指令限定：

一或更多个第一阶段缺陷分类引擎，其被配置成：

接收针对衬底上的缺陷而获得的计量数据，所述衬底包含电子装置或部分加工的电子装置，其中所述计量数据包含图像、组成数据、和/或晶片图，并且

根据所述计量数据产生第一阶段缺陷分类；以及

第二阶段缺陷分类引擎，其被配置成：

接收由所述一或更多个第一阶段缺陷分类引擎所产生的所述第一阶段缺陷分类，

接收制造信息，所述制造信息包含关于下列各项的数据：(i)在所述衬底上执行加工工艺且在所述衬底上产生缺陷的制造设备、(ii)所述加工工艺、(iii)所述衬底上的一或更多种材料、以及/或者(iv)所述制造设备和/或加工工艺的先验缺陷分类，

利用所述第一阶段缺陷分类和所述制造信息以确定所述衬底上的缺陷的一或更多个来源，并且

输出由第一来源造成缺陷的可能性，所述第一来源与所述制造设备、所述衬底上的一或更多种材料、以及/或者加工工艺相关联。

2.根据权利要求1所述的缺陷分析计算系统，其中所述计量数据包含所述图像、所述组成数据、以及所述晶片图。

3.根据权利要求1-2中任一项所述的缺陷分析计算系统，其中所述计量数据包含与用于获得所述计量数据的检测工具有关的元数据。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的缺陷分析计算系统，其中所述第一阶段缺陷分类包含所述衬底上的缺陷的形态分类。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的缺陷分析计算系统，其中所述第一阶段缺陷分类包含所述衬底上的缺陷的组成分类。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的缺陷分析计算系统，其中所述第一阶段缺陷分类包含所述衬底上的缺陷的晶片图分类。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的缺陷分析计算系统，其中所述第一阶段缺陷分类引擎包含一或更多个神经网络。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的缺陷分析计算系统，其中所述制造设备是干式蚀刻反应器、化学气相沉积反应器、原子层沉积反应器、物理气相沉积反应器、或电镀反应器。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的缺陷分析计算系统，其中所述第二阶段缺陷分类引擎额外地被配置成将所述衬底上的缺陷进一步分类。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的缺陷分析计算系统，其中所述第二阶段缺陷分类引擎额外地被配置成提供建议的改正措施，以减少所述衬底上的缺陷生成以及/或者减少未来处理的衬底上的缺陷的发生。

11.根据权利要求1-10中任一项所述的缺陷分析计算系统，其中所述第二阶段缺陷分类引擎被配置成通过利用贝叶斯分析确定所述衬底上的缺陷的所述一或更多个来源。

12.根据权利要求1-11中任一项所述的缺陷分析计算系统，其中，在所述加工工艺期间原位地获得所述计量数据。

13.根据权利要求1-2中任一项所述的缺陷分析计算系统，其中所述一或更多个第一阶段缺陷分类引擎被进一步配置成接收选自由下列各项组成的群组的传感器数据：所述加工工艺的环境条件、在所述加工工艺期间所述衬底的质量变化、在所述加工工艺期间所经历的机械力、以及其组合，且其中所述第二阶段缺陷分类引擎被进一步配置成利用所述传感器数据来确定所述衬底上的缺陷的所述一或更多个来源。