[发明专利]JMZ-1S，含CHA的分子筛及制备方法

权利要求书

1.一种分子筛，所述分子筛包含CHA型骨架类型，其中磷酸根在所述骨架内。

2.根据权利要求1所述的分子筛，其中所述分子筛为磷酸硅铝(SAPO)、金属磷酸硅铝(MeSAPO)或金属磷酸铝(MeAPO)。

3.根据权利要求1所述的分子筛，其中所述分子筛在所述骨架内包含至少一种金属，其中所述金属选自下列中的至少一个：周期表IIIA、IB、IIB、VA、VIA、VIIA、VIIIA族金属以及它们的组合。

4.根据权利要求1所述的分子筛，其中所述分子筛还包含至少一种骨架外过渡金属，所述至少一种骨架外过渡金属选自Ag、Au、Ce、Co、Cr、Cu、Fe、Ga、In、Ir、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Pt、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、V、W和Zn。

5.根据权利要求1所述的分子筛，其中所述分子筛被煅烧或包含一种或多种结构导向剂(SDA)。

6.根据权利要求1所述的分子筛，其中所述分子筛为磷酸硅铝。

7.根据权利要求6所述的分子筛，所述分子筛具有介于0.01和0.65之间(包括端值)，优选地约0.3至约0.6，更优选地约0.45至约0.55的SiO₂/Al₂O₃(SAR)，以及介于0.65和1.0之间(包括端值)，优选地约0.7至约0.9，更优选地约0.75至约0.85的P₂O₅/Al₂O₃(PAR)比率。

8.根据权利要求7所述的分子筛，所述分子筛包括CHA型骨架类型分子筛，所述CHA型骨架类型分子筛包含具有选自下列的至少一个特性的结构导向剂(SDA)：基本上类似于图3所示的特征性X射线粉末衍射图案；以及包含在9.47(VS)、16.10(S)、20.73(VS)、24.51(M)和30.86(M)±0.2处的2-θ位置的特征性X射线粉末衍射图案，其中对应的相对强度示于括号中。

9.根据权利要求7所述的分子筛，其中所述特征性X射线粉末衍射图案还包含在12.99(W)、13.81(W)、17.41(W)、19.01(W)、21.80(W)、22.60(W)、23.09(W)、26.15(W)、27.86(W)、30.22(W)、34.84(W)、35.63(W)±0.2处的2-θ位置，其中对应的相对强度示于括号中。

10.根据前述权利要求中任一项所述的分子筛，其中所述结构导向剂包含三甲基(环己基甲基)铵阳离子。

11.一种组合物，所述组合物包含具有CHA骨架的磷酸硅铝分子筛晶体，在合成且处于无水状态时，所述CHA骨架包含五价磷氧化物、三价铝氧化物、四价硅氧化物，并且具有存在于晶体结构中的三甲基(环己基甲基)铵阳离子，其中所述分子筛晶体不含取代或未取代的5,4-氮鎓阴离子，并且不含具有取代基的铵阴离子，所述取代基选自桥联多环、环芳基、杂环、不是环己基甲基的环烷基、和C2-C4烷基。