[发明专利]制造方法

权利要求书

1.一种选择性地图案化器件结构的方法，所述方法包括：

在衬底上形成中空阴影壁，所述中空阴影壁由处于所述衬底的表面上的基底和连接到所述基底的一个或多个侧壁形成，所述一个或多个侧壁远离所述衬底的所述表面延伸并围绕所述基底，以限定所述中空阴影壁的内部腔体；

通过使用沉积束在器件结构上使沉积材料层选择性地沉积，将由所述衬底支撑的、与所述阴影壁相邻的所述器件结构选择性地图案化，所述沉积束具有相对于所述衬底的所述表面的法线的非零入射角度和在所述衬底的表面的平面中的取向，使得所述阴影壁防止在由所述阴影壁限定的阴影区内的所述器件结构的表面部分上沉积；以及

一旦所述器件结构被选择性地图案化，就去除所述中空阴影壁的所述一个或多个侧壁。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述中空阴影壁通过在所述衬底的所述表面的区域中沉积至少一种壁材料来形成，所述区域由所述衬底的表面上的部分抗蚀剂层暴露，所述部分抗蚀剂层具有顶表面和从所述顶表面延伸至所述衬底的表面的至少一个内侧表面，以便创建暴露区域的边界，其中所述部分抗蚀剂层在已经形成所述中空阴影壁之后被去除。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述中空阴影壁由所述壁材料的至少一个沉积层形成，所述至少一个沉积层覆盖所述部分抗蚀剂层的所述顶表面、所述部分抗蚀剂层的所述内侧表面和所述衬底的表面的暴露区域，所述中空阴影壁的所述一个或多个侧壁包括在所述部分抗蚀剂层被去除之前覆盖所述部分抗蚀剂层的所述内侧表面的所述壁材料，并且所述中空阴影壁的基底包括覆盖所述衬底的表面的所述暴露区域的所述壁材料，其中覆盖所述部分抗蚀剂层的所述顶表面的所述壁材料随所述部分抗蚀剂层被去除，从而留下由所述衬底支撑的所述中空阴影壁。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其中所述部分抗蚀剂层的所述内侧表面具有至少一个锯齿状区，使得所述一个或多个侧壁的对应区呈现对应的锯齿，所述锯齿增加所述一个或多个侧壁的刚性。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个侧壁在所述衬底的表面基本上所处的平面中围绕整个所述基底。

6.根据权利要求1所述的方法，其中通过机械过程去除所述一个或多个侧壁。

7.根据权利要求2所述的方法，其中在所述衬底上形成掩模层，所述掩模层使所述衬底的至少一个器件区暴露，在所述至少一个器件区中生长所述器件结构，所述部分抗蚀剂层沉积在所述掩模层上，用于形成所述中空阴影壁的所述衬底的表面的所述暴露区域与暴露的所述器件区相邻，通过所述器件材料的选择性区域生长，由所述暴露区域中的器件材料生长所述器件。

8.一种选择性地图案化器件部件的方法，所述方法包括：

在衬底的表面上形成抗蚀剂的部分层，所述部分层使衬底表面的至少一个区域暴露，所述部分抗蚀剂层具有基本上平行于所述衬底的表面的顶表面和从所述顶表面延伸到所述衬底的表面的内侧表面，以便在侧表面与所述衬底的表面相交处创建所述暴露区域的边界；

在所述暴露区域中由沉积在所述抗蚀剂层的所述内侧表面上的壁材料形成阴影壁，所述壁材料延伸到所述衬底表面的所述暴露区域，以用于在去除围绕所述阴影壁的抗蚀剂层时支撑所述阴影壁；

从所述衬底去除所述部分抗蚀剂层，从而留下由所述衬底支撑的所述阴影壁；

使用沉积束在由所述衬底支撑的、与所述阴影壁相邻的器件部件上使沉积材料层选择性地沉积，所述沉积束具有相对于所述衬底的表面的法线的非零入射角度和在所述衬底的表面的平面中的取向，使得所述阴影壁防止在由所述阴影壁限定的阴影区内的所述器件部件的表面部分上沉积。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述壁材料仅部分地填充由所述内侧表面限定的腔体，使得所述阴影壁具有内部腔体。

10.根据权利要求8或9所述的方法，其中所述内侧表面的至少一部分是锯齿状的，以便增加所述阴影壁的刚性。