[发明专利]半导体马赫-曾德尔光调制器

权利要求书

1.一种半导体马赫-曾德尔光调制器，包括：

光波导，所述光波导形成于衬底上；

输入侧引出线，所述输入侧引出线形成于所述衬底上的至少一个介电层上，所述输入侧引出线包括输入调制信号的第一端；

相位调制电极线，所述相位调制电极线沿所述光波导形成于所述介电层上，所述相位调制电极线包括与所述输入侧引出线的第二端连接的第一端；

输出侧引出线，所述输出侧引出线形成于所述介电层上，所述输出侧引出线包括与所述相位调制电极线的第二端连接的第一端；以及

电极，所述电极被配置为将调制信号施加到所述光波导，所述调制信号通过所述相位调制电极线传播，

其中，所述半导体马赫-曾德尔光调制器还包括衰减器，所述衰减器被配置为衰减所述输出侧引出线下方的下层或所述输出侧引出线上方的上层中的所述调制信号。

2.根据权利要求1所述的半导体马赫-曾德尔光调制器，

其中，所述衰减器为至少一个n型半导体层或至少一个p型半导体层，所述至少一个n型半导体层或至少一个p型半导体层在所述输出侧引出线下方的所述下层中沿所述输出侧引出线间断形成。

3.根据权利要求2所述的半导体马赫-曾德尔光调制器，

其中，在所述输出侧引出线的部分中，所述n型半导体层和所述p型半导体层中的每一个在所述调制信号的传播方向上的长度为所述调制信号的频带中最大频率的导波波长的1/4以下，

所述n型半导体层或所述p型半导体层在与所述调制信号的传播方向垂直的方向上的宽度为所述导波波长的1/4以下，并且

多个所述n型半导体层或多个所述p型半导体层之间在所述调制信号的传播方向上的间距为50μm以下。

4.根据权利要求2或3所述的半导体马赫-曾德尔光调制器，

其中，所述光波导包括两个臂波导，即第一臂波导和第二臂波导，

所述输入侧引出线包括第一输入侧引出线和第二输入侧引出线，所述第一输入侧引出线包括被输入调制信号的第一端，所述第二输入侧引出线位于与所述第一输入侧引出线相邻的所述介电层上，并包括被输入与所述调制信号互补的信号的第一端，

所述相位调制电极线包括在所述介电层上分别沿着所述第一臂波导和第二臂波导的两条相位调制电极线，即第一相位调制电极线和第二相位调制电极线，所述第一相位调制电极线和所述第二相位调制电极线包括与所述第一输入侧引出线和所述第二输入侧引出线的相应的第二端连接的第一端，

所述输出侧引出线包括两条输出侧引出线，即第一输出侧引出线和第二输出侧引出线，所述第一输出侧引出线和所述第二输出侧引出线包括与所述第一相位调制电极线和所述第二相位调制电极线的相应的第二端连接的第一端，

所述电极包括两个电极，即第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极被配置为将相应的调制信号施加到所述第一臂波导和所述第二臂波导，所述相应的调制信号通过所述第一相位调制电极线和所述第二相位调制电极线传播，

所述半导体马赫-曾德尔光调制器还包括：

沿着所述调制信号的传播方向在所述第一输入侧引出线、所述第一相位调制电极线和所述第一输出侧引出线外侧的所述介电层上的第一接地线；以及

沿着所述调制信号的传播方向在所述第二输入侧引出线、所述第二相位调制电极线和所述第二输出侧引出线外侧的所述介电层上的第二接地线，

在所述第一输出侧引出线和所述第二输出侧引出线的部分中，所述n型半导体层或所述p型半导体层在与所述调制信号的传播方向垂直的方向上的宽度等于或大于所述第一接地线和所述第二接地线之间的距离，并且

所述n型半导体层或所述p型半导体层形成在所述第一接地线和所述第二接地线的边缘下方，所述边缘比所述第一接地线和所述第二接地线的其他边缘更靠近相应的输出侧引出线。