[发明专利]热等离子体处理设备在审

专利信息
申请号: 202080010102.5 申请日: 2020-01-20
公开(公告)号: CN113330824A 公开(公告)日: 2021-08-31
发明(设计)人: 朴贤宇;金友一;李启光;赵壬浚 申请(专利权)人: LG电子株式会社
主分类号: H05H1/34 分类号: H05H1/34;H05H1/28
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 刘久亮;黄纶伟
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 等离子体 处理 设备
【权利要求书】:

1.一种热等离子体处理设备,所述热等离子体处理设备包括:

炬部,其中在负极和正极之间产生电弧,并且其中在所述负极和所述正极之间注入将被所述电弧热分解的处理气体;

电源部,其被配置为连接到所述负极和所述正极,并在所述负极和所述正极之间施加高电压;以及

反应部,其被配置为与所述炬部连通并在经过所述炬部的所述处理气体中产生湍流。

2.根据权利要求1所述的热等离子体处理设备,

其中,所述炬部包括:

位于所述炬部的中心的负极;

圆柱型的第一正极,其被配置为围绕所述负极,并在所述第一正极的中心具有第一孔;以及

圆柱型的第二正极,其被配置为与所述第一正极的下侧间隔开,并在所述第二正极的中心具有与所述第一孔连通的第二孔。

3.根据权利要求2所述的热等离子体处理设备,

其中,所述炬部包括:

轴型负极壳体,其中所述负极安装在最下端处,并且其中在所述负极壳体的中心处设置冷却流路径;

圆柱型的第一正极壳体,其被配置为安装为围绕所述第一正极,并具有与设置在所述第一正极的外周面上的冷却流路径连通的供应路径;以及

圆柱型的第二正极壳体,其被配置为安装为围绕所述第二正极,并在所述第二正极和所述第二正极壳体之间具有冷却流路径。

4.根据权利要求3所述的热等离子体处理设备,

其中,所述炬部还包括:

第一放电气体注入部,其被配置为设置在所述第一正极的上方,以在旋转方向上将放电气体注入所述第一放电气体注入部的内部,并将所述放电气体供应到所述第一孔的上部;

处理气体注入部,其被配置为设置用于围绕所述第一正极壳体,在旋转方向上将待处理的处理气体注入所述处理气体注入部的内部,并将所述处理气体供应到所述第二孔的上部;以及

第二放电气体注入部,其被配置为设置在所述处理气体注入部和所述第二正极之间,以在旋转方向上将所述放电气体注入所述第二放电气体注入部的内部,并将所述放电气体供应到所述第二孔的上部,并且

其中,所述第一放电气体注入部和所述第二放电气体注入部以及所述处理气体注入部被配置为在相同的旋转方向上注入放电气体和处理气体。

5.根据权利要求4所述的热等离子体处理设备,

其中,所述第一放电气体注入部包括:

第一主体部,其被配置为具有与所述第一孔连通的圆柱形状并在径向方向上具有预定厚度;以及

多个第一放电气体注入口,其被配置为穿过所述第一主体部的内周面/外周面,并在相对于所述第一主体部的内周面的切向方向上注入所述放电气体。

6.根据权利要求4所述的热等离子体处理设备,

其中,所述处理气体注入部包括:

圆柱形主体部,其被配置为围绕所述第一正极和所述第一放电气体注入部并与所述第二孔连通;以及

多个注入管,其被配置为与所述主体部的内部连通,并在相对于所述主体部的内周面的切向方向上注入所述处理气体。

7.根据权利要求4所述的热等离子体处理设备,

其中,所述第二放电气体注入部包括:

第二主体部,其被配置为具有与所述第二孔连通的圆柱形状并在径向方向上具有预定厚度;

多个第二放电气体注入口,其被配置为穿过所述第二主体部的内周面/外周面,并在相对于所述第二主体部的内周面的切向方向上注入所述放电气体;以及

环形第二放电气体辅助注入口,其被配置为在所述第二放电气体注入口外部彼此连通。

8.根据权利要求4所述的热等离子体处理设备,

其中,所述炬部还包括:

第三放电气体注入部,其被配置为设置在所述第二正极壳体的下端和所述第二正极处,以在旋转方向上将所述放电气体注入内侧,并将所述放电气体供应到所述第二孔的下部。

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