[发明专利]多晶硅块状物、其包装体及其制造方法

权利要求书

1.一种多晶硅块状物包装体，其特征在于，

所述多晶硅块状物包装体是表面金属浓度为1000pptw以下的多晶硅块状物填充于树脂袋中的包装体，存在于所述包装体内部的硝酸根离子量为相对于将包装体放置在25℃、1大气压下时所形成的多晶硅块状物的填充空隙成为50μg/L以下的量。

2.根据权利要求1所述的多晶硅块状物包装体，其中，

存在于包装体内部的氟离子量为相对于将包装体放置在25℃、1大气压下时所形成的多晶硅块状物的填充空隙成为50μg/L以下的量。

3.根据权利要求1所述的多晶硅块状物包装体，其是将表面金属浓度为1000pptw以下、且表面硝酸根离子量为1.0×10^－4μg/mm²以下的多晶硅块状物填充于树脂袋中而成的。

4.根据权利要求3所述的多晶硅块状物包装体，其中，

存在于多晶硅块状物的块表面的氟离子量为1.0×10^－4μg/mm²以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的多晶硅块状物包装体，其中，

填充有多晶硅块状物的树脂袋的填充空隙率为40％～70％。

6.一种多晶硅块状物，其表面金属浓度为1000pptw以下，且表面硝酸根离子量为1.0×10^－4μg/mm²以下。

7.根据权利要求6所述的多晶硅块状物，其中，

进一步地，表面氟离子量为1.0×10^－4μg/mm²以下。

8.一种多晶硅块状物的制造方法，其特征在于，

所述制造方法是制造权利要求6所述的多晶硅块状物的方法，

其中，将利用氢氟酸硝酸水溶液进行了酸洗的多晶硅块状物清洗体在100℃以上的加热温度下干燥。

9.一种多晶硅块状物包装体的制造方法，其特征在于，

所述制造方法是制造权利要求1所述的多晶硅块状物包装体的方法，

其中，在将由权利要求8所述的方法得到的多晶硅块状物包装于树脂袋中时，以存在于包装体内部的硝酸根离子量相对于将包装体放置在25℃、1大气压下时所形成的多晶硅块状物的填充空隙成为50μg/L以下的填充量填塞。