[发明专利]用于3-D IC用途的可激光剥离的结合材料

权利要求书

1.一种临时结合方法，其包括：

提供一种堆叠体，其包含：

第一基材，其具有后表面和前表面；

结合层，其与所述前表面相邻；

第二基材，其具有第一表面；和

剥离层，其在所述第一表面与所述结合层之间，所述剥离层包含聚酮胺；以及

使所述剥离层暴露于激光能量，以促进所述第一基材和第二基材的分离。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述聚酮胺是交联的。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述聚酮胺是包含胺官能团、酮官能团和芳族部分的单体的聚合物，其中，所述胺官能团和所述酮官能团与所述芳族部分结合。

4.如权利要求3所述的方法，其中，所述重复单体为4-氨基苯乙酮。

5.如权利要求1所述的方法，其进一步包括以下内容之一或两者：

所述前表面为器件表面，其包含一系列选自下组的器件：集成电路；MEMS；微传感器；功率半导体；发光二极管；光子电路；中介层；嵌入式无源器件；以及制造在硅、硅锗、砷化镓、氮化镓及其组合上或由硅、硅锗、砷化镓、氮化镓以及其组合制造的微器件；或

所述第一表面为器件表面，其包含一系列选自下组的器件：集成电路；MEMS；微传感器；功率半导体；发光二极管；光子电路；中介层；嵌入式无源器件；以及制造在硅、硅锗、砷化镓、氮化镓及其组合上或由硅、硅锗、砷化镓、氮化镓以及其组合制造的微器件。

6.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一基材或所述第二基材之一或两者包含玻璃或其他透明材料。

7.如权利要求1所述的方法，其进一步包括以下内容之一或两者：

所述前表面为器件表面，其包含至少一种选自下组的结构：焊接突起；金属杆；金属柱；以及由选自硅、多晶硅、二氧化硅、(氧)氮化硅、金属、低k电介质、聚合物电介质、金属氮化物、金属硅化物、以及上述物质组合的材料所形成的结构；或

所述第一表面为器件表面，其包含至少一种选自下组的结构：焊接突起；金属杆；金属柱；以及由选自硅、多晶硅、二氧化硅、(氧)氮化硅、金属、低k电介质、聚合物电介质、金属氮化物、金属硅化物、以及上述物质组合的材料所形成的结构。

8.如权利要求1所述的方法，其进一步包括在使所述第一基材和第二基材分离之前，使所述第一基材和第二基材分离之前，对所述堆叠体实施选自下组的处理：后研磨、化学机械抛光、蚀刻、金属化、电介质沉积、图案化、钝化、退火、及其组合。

9.如权利要求1所述的方法，其中，所述提供包括使所述第一基材和第二基材结合在一起以形成所述堆叠体。

10.一种微电子结构，其包含：

第一基材，其具有后表面和前表面；

结合层，其与所述前表面相邻；

第二基材，其具有第一表面；和

剥离层，其在所述第一表面与所述结合层之间，所述剥离层包含聚酮胺。

11.如权利要求10所述的结构，其中，所述聚酮胺是交联的。

12.如权利要求10所述的结构，其中，所述聚酮胺是包含胺官能团、酮官能团和芳族部分的单体的聚合物，其中，所述胺官能团和所述酮官能团与所述芳族部分结合。

13.如权利要求12所述的结构，其中，所述重复单体为4-氨基苯乙酮。