[发明专利]连铸中的流速控制在审
申请号: | 202080010460.6 | 申请日: | 2020-01-27 |
公开(公告)号: | CN113365758A | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 杨洪良;马丁·塞登;尼尔斯·彼得·雅各布森;安德斯·莱曼 | 申请(专利权)人: | ABB瑞士股份有限公司 |
主分类号: | B22D11/041 | 分类号: | B22D11/041;B22D11/115;B22D11/12;B22D11/16;B22D11/18 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 李辉 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 中的 流速 控制 | ||
1.一种用于控制金属连铸结晶器(2)中的流速的装置(1),包括:
具有相关联的第一磁线圈(4)的至少两个第一前芯(3),所述第一磁线圈(4)包括所述第一磁线圈的至少两个子集,每个子集与所述至少两个第一前芯(3)的相应第一前芯(3)相关联,所述第一磁线圈(4)被布置在所述结晶器的一侧上;
具有相关联的第二磁线圈(6)的至少两个第二前芯(5),所述第二磁线圈(6)被布置在所述结晶器的相对侧上,所述至少两个第二前芯(5)中的每个第二前芯与所述至少两个第一前芯(3)中的相应第一前芯(3)对准;以及
外部磁回路(7、8、9),将对准的所述至少两个第二前芯(5)中的相应第二前芯(5)和所述至少两个第一前芯中的相应第一前芯(3)耦合以形成穿过所述结晶器(2)的至少两个磁通道,所述至少两个磁通道中的每个磁通道允许单向磁通量从所述相应第一前芯穿过所述结晶器到达所述相应第二前芯或者从所述相应第二前芯穿过所述结晶器到达所述相应第一前芯;以及
控制接口(14),被连接至所述第二磁线圈(6)以及所述第一磁线圈(4)的所述至少两个子集,并且被配置为能够独立地控制所述第一磁线圈的所述至少两个子集,以使得穿过所述结晶器(2)的至少两个磁通道的每个磁通被独立地控制;
所述第一前芯(3)和所述第二前芯(5)中的至少一方被提供有能够重新配置的通量成形元件,所述通量成形元件用于允许空间上不均匀的磁通量穿过所述结晶器。
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述第二磁线圈(6)包括所述第二磁线圈(6)的至少两个子集,每个子集与所述至少两个第二前芯(5)的相应第二前芯(5)相关联,并且所述控制接口被配置为能够独立控制所述第二磁线圈的两个子集。
3.根据权利要求1或2所述的装置,其中所述第一磁线圈或所述第二磁线圈的所述子集相对于所述结晶器的横向方向而不同地定位。
4.根据权利要求2所述的装置,其中所述第一磁线圈或所述第二磁线圈的所述子集中的每一个包括一个或多个磁线圈。
5.根据权利要求1、2、4中任一项所述的装置,其中所述控制接口适于协调控制与经对准的成对前芯相关联的所述磁线圈。
6.根据权利要求1、2、4中任一项所述的装置,其中所述控制接口包括用于为每个子集中的所述磁线圈通电的电端子(10)。
7.根据权利要求1、2、4中任一项所述的装置,其中所述控制接口包括处理器(18)。
8.根据权利要求7所述的装置,还包括一个或多个传感器(19),其中所述控制接口的所述处理器被配置为基于来自所述传感器的传感器数据来控制所述磁线圈,所述传感器数据表示:
所述结晶器中的温度分布,和/或
弯液面高度轮廓、弯液面速度、弯液面高度波动或其他弯液面特性。
9.根据权利要求7所述的装置,其中所述控制接口的所述处理器被配置为以相对于所述结晶器的横向方向的空间分辨率来处理传感器数据。
10.根据权利要求7所述的装置,其中所述控制接口的所述处理器被配置为基于所述结晶器中的瞬态流动动力学的数值仿真来控制所述磁线圈。
11.根据权利要求1所述的装置,其中能够重新配置的所述通量成形元件包括多个能够自由定位的磁性突起(17)。
12.根据权利要求1、2、4、8-11中任一项所述的装置,其中所述外部磁回路包括:
第一水平芯和第二水平芯(8、9),被布置为与所述第一前芯和所述第二前芯分别对接;以及
外部轭(7)。
13.根据权利要求12所述的装置,其中所述第一水平芯和所述第二水平芯能够从所述结晶器回缩。
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