[发明专利]集成晶片翘曲测量

权利要求书

1.一种晶片翘曲测量系统，其包括：

测量单元，其包括：

晶片支撑组件，其用于将旋转运动传递给被支撑在所述测量单元中的被测晶片；

光学传感器；

用于校准所述光学传感器的校准标准件；

线性平台致动器，其用于将线性运动方向传递给所述光学传感器；

晶片居中传感器，其用于确定被支撑在所述测量单元中的所述被测晶片的居中；以及

晶片对准传感器，其用于确定支撑在所述测量单元中的所述被测晶片的对准。

2.根据权利要求1所述的晶片翘曲测量系统，其中，所述晶片居中传感器包括用于使支撑在所述测量单元中的所述被测晶片主动居中的致动器。

3.根据权利要求1所述的晶片翘曲测量系统，其中所述晶片支撑组件包括晶片对准卡盘。

4.根据权利要求1所述的晶片翘曲测量系统，其还包括参考晶片单元。

5.根据权利要求4所述的晶片翘曲测量系统，其中所述参考晶片单元包括多个槽以容纳一系列不同的参考晶片。

6.根据权利要求5所述的晶片翘曲测量系统，其中该系列不同的参考晶片为被支撑在所述测量单元中的所述被测晶片提供一系列测量控制参考。

7.根据权利要求4所述的晶片翘曲测量系统，其还包括多个测量单元和至少一个参考晶片单元。

8.根据权利要求1所述的晶片翘曲测量系统，其中所述晶片翘曲测量系统与晶片处理工具集成。

9.根据权利要求1所述的晶片翘曲测量系统，其中所述校准标准件包括至少一个可通过所述光学传感器扫描以检测晶片翘曲测量随时间推移的杂散的预先测量的特征或小面。

10.根据权利要求9所述的晶片翘曲测量系统，其中所述可扫描特征或小面包括楔形镀银漫射光学平面以用作晶片厚度的代理。

11.根据权利要求1所述的晶片翘曲测量系统，其中所述校准标准件包括能由所述光学传感器扫描以检测晶片翘曲测量随时间推移的杂散的多个台阶。

12.根据权利要求5所述的晶片翘曲测量系统，其中所述晶片翘曲测量系统还包括温度传感器或湿度传感器，并且其中在所述一系列不同参考晶片中的参考晶片的选择基于从所述温度传感器或所述湿度传感器导出的数据。

13.根据权利要求1所述的晶片翘曲测量系统，其还包括振动隔离机构或安装座。

14.一种测量在包括晶片处理模块的晶片处理流中的晶片的晶片翘曲的方法，该方法包括：

将晶片翘曲测量系统与所述晶片处理模块集成在一起；

从所述晶片处理流中提取晶片以通过所述晶片翘曲测量系统进行晶片翘曲测量；

基于通过所述晶片翘曲测量系统导出的晶片翘曲测量来调整所述晶片处理流的参数；以及

将所述被测晶片放回所述晶片处理流中。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述晶片翘曲测量系统包括：

测量单元，其包括：

晶片支撑组件，其用于将旋转运动传递给被支撑在所述测量单元中的被测晶片；

光学传感器；

用于校准所述光学传感器的校准标准件；

线性平台致动器，其用于将线性运动方向传递给所述光学传感器；

晶片居中传感器，其用于确定被支撑在所述测量单元中的所述被测晶片的居中；以及

晶片对准传感器，其用于确定被支撑在所述测量单元中的所述被测晶片的对准。