[发明专利]集成电路金属离子扩散缺陷验证在审
| 申请号： | 202080010909.9 | 申请日： | 2020-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN113366620A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | M·T·麦克科麦;L·C·科杜斯二世;A·梅达 | 申请（专利权）人： | 微软技术许可有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 胡利鸣 |
| 地址： | 美国华*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 金属 离子 扩散 缺陷 验证 | ||
1.一种验证集成电路芯片不易受导电金属离子扩散缺陷影响的方法，所述方法包括：
将测试组件施加到所述集成电路芯片的背面以形成测试组装件，其中所述测试组件包括用于促进导电金属离子的扩散的导电金属层和传输介质层；
在热激活温度下加热所述测试组装件；以及
计算机验证所述集成电路芯片以确定所述集成电路芯片是否具有所述导电金属离子扩散缺陷。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：
当所述测试组装件被加热时，在相对于环境压力增加的压力下对所述测试组装件加压。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述传输介质包括吸附的H2O。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述传输介质包括热界面材料。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电金属包括铜。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测试组件基本上覆盖所述集成电路芯片的整个背面。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测试组装件进一步包括热沉，并且其中所述热沉被夹持在所述集成电路芯片上以将所述测试组件的所述导电金属层和所述传输介质层压缩到所述集成电路芯片的所述背面。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电金属层被施加到所述集成电路芯片的所述背面，并且其中所述传输介质层被施加到所述导电金属层。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述传输介质层被施加到所述集成电路芯片的所述背面，并且其中所述导电金属层被施加到所述传输介质层。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述测试组装件被加热达指定历时，所述指定历时选自72-120小时的时间范围。
11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热激活温度选自100-150摄氏度的热范围。
12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述传输介质层所具有的表面积大于或等于所述导电金属层的表面积。
13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，计算机验证包括将所述集成电路芯片安装在测试计算设备中，并且基于所述测试计算设备不能被上电来确定所述集成电路芯片具有所述导电金属离子扩散缺陷。
14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，计算机验证包括将所述集成电路芯片安装在测试计算设备中，并且基于所述测试计算设备产生具有图形伪像的渲染图像来确定所述集成电路芯片具有所述导电金属离子扩散缺陷。
15.如权利要求1所述的方法，其特征在于，计算机验证包括执行所述集成电路芯片的自检并基于产生预期结果的所述自检来确定所述集成电路芯片具有所述导电金属离子扩散缺陷。
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