[发明专利]具有气隙的3维闪存及制造其的方法

权利要求书

1.一种3维(3D)闪存，包括：

形成为在第一方向上延伸的至少一个沟道层；

多个电极层，形成为在与第一方向正交的第二方向上延伸，从而相对于所述至少一个沟道层垂直堆叠；

多个气隙，在所述多个电极层之间以将所述多个电极层彼此分开；以及

至少一个氧化物-氮化物-氧化物(ONO)层，包括第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层并且形成为在所述第一方向上延伸以连接所述至少一个沟道层和所述多个电极层，

其中所述3D闪存进一步包括减轻在所述至少一个ONO层中在分别接触所述多个电极层的单元之间的干扰现象的结构。

2.如权利要求1所述的3D闪存，其中所述3D闪存进一步包括通过在接触所述多个气隙的区域中蚀刻所述至少一个ONO层当中的所述第一氧化物层和所述氮化物层来减轻在所述至少一个ONO层中在分别接触所述多个电极层的单元之间的所述干扰现象的所述结构。

3.如权利要求2所述的3D闪存，其中所述至少一个ONO层的所述第二氧化物层在接触所述多个气隙的所述区域中被蚀刻。

4.如权利要求1所述的3D闪存，其中所述3D闪存进一步包括通过在所述多个电极层的每个的上部和下部上形成阻挡材料层来减轻在所述至少一个ONO层中在分别接触所述多个电极层的所述单元之间的所述干扰现象的所述结构。

5.如权利要求1所述的3D闪存，进一步包括：

多个电极保护层，在产生所述多个气隙的工艺中保护所述多个电极层。

6.一种制造3维(3D)闪存的方法，所述方法包括：

制备模制结构，其中多个层间绝缘层和用于电极的多个牺牲层交替堆叠在衬底上；

形成至少一个串孔并使所述至少一个串孔在第一方向上延伸，所述至少一个串孔穿透所述模制结构且暴露所述衬底；

在所述至少一个串孔中沉积第一氧化物层、氮化物层和第二氧化物层，并且在所述第一方向上形成包括内部垂直孔的至少一个氧化物-氮化物-氧化物(ONO)层并使所述至少一个ONO层在所述第一方向上延伸；

在所述至少一个ONO层的垂直孔中形成至少一个沟道层，并使所述至少一个沟道层在所述第一方向上延伸；

去除所述用于电极的多个牺牲层，在从其去除了所述用于电极的多个牺牲层的空间中形成多个电极层，并使所述多个电极层在与所述第一方向正交的第二方向上延伸；

蚀刻所述多个层间绝缘层以产生在所述多个电极层之间并使所述多个电极层彼此分开的多个气隙；以及

在接触所述多个气隙的区域中蚀刻所述至少一个ONO层的所述第一氧化物层和所述氮化物层，从而减轻在所述至少一个ONO层中在分别接触所述多个电极层的单元之间的干扰现象。

7.如权利要求6所述的方法，其中在接触所述多个气隙的所述区域中所述至少一个ONO层的所述第一氧化物层和所述氮化物层的蚀刻包括：

在接触所述多个气隙的所述区域中蚀刻所述至少一个ONO层的所述第二氧化物层。

8.如权利要求6所述的方法，其中所述模制结构包括一结构，在所述结构中在产生所述多个气隙的工艺期间保护所述多个电极层的多个电极保护层的多个水平区域堆叠在所述用于电极的多个牺牲层的上部和下部上。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述至少一个氧化物-氮化物-氧化物(ONO)层在所述第一方向上的形成和延伸包括：

在所述至少一个串孔中沉积所述多个电极保护层的垂直区域。

10.如权利要求6所述的方法，其中所述模制结构包括一结构，在所述结构中用于减轻在所述至少一个ONO层中在分别接触所述多个电极层的所述单元之间的所述干扰现象的阻挡材料层堆叠在所述用于电极的多个牺牲层的每个的上部和下部上。