[发明专利]用于片上超声设备的封装结构和封装方法在审
申请号: | 202080011127.7 | 申请日: | 2020-01-28 |
公开(公告)号: | CN113366926A | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 刘建伟;基思·G·菲费 | 申请(专利权)人: | 蝴蝶网络有限公司 |
主分类号: | H05K3/46 | 分类号: | H05K3/46;H01L41/18;H01L41/083 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 黄霖;郭孟洁 |
地址: | 美国康*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 超声 设备 封装 结构 方法 | ||
1.一种形成多层混合中介件结构的方法,该方法包括:
形成穿过基底的多个第一开口,该基底包括传热材料;
在该多个第一开口内以及该基底的顶部表面和底部表面上形成第一金属材料;
在该基底的顶部表面和底部表面上对该第一金属材料进行图案化;
在该基底的顶部表面和底部表面上的图案化的第一金属材料上方形成电介质层;
在该电介质层内形成多个第二开口,以暴露出在该基底的顶部表面和底部表面上的图案化的第一金属材料的部分;
使用第二金属材料填充该多个第二开口,该第二金属材料与该图案化的第一金属材料的暴露部分接触;
在该基底的顶部表面和底部表面上形成第三金属材料,该第三金属材料与该第二金属材料和该电介质层接触;以及
图案化该第三金属材料。
2.如权利要求1所述的方法,其中,该基底包括陶瓷材料。
3.如权利要求2所述的方法,其中,该陶瓷材料包括氮化铝(AlN)。
4.如权利要求1所述的方法,其中,使用该第二金属材料填充该多个第二开口,包括:
在该多个第二开口和该电介质层上沉积该第二金属材料;以及
对该第二金属材料执行化学机械平整化(CMP)直至该电介质层。
5.一种形成用于超声换能设备的封装结构的方法,该方法包括:
将多层柔性基底附接到载体晶片;
将片上超声设备的第一侧粘结到该柔性基底;
将该片上超声设备的第二侧粘结到混合基底的第一侧,该混合基底提供传热和信号分布两者;以及
移除该载体晶片。
6.如权利要求5所述的方法,进一步包括在该片上超声设备的周围、在该多层柔性基底与该混合基底之间施加底部填充材料。
7.如权利要求5所述的方法,其中,该混合基底包括具有在其中形成过孔的陶瓷材料。
8.如权利要求7所述的方法,进一步包括将该混合基底的第二侧粘结到印刷电路板(PCB)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于蝴蝶网络有限公司,未经蝴蝶网络有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202080011127.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电子设备、无线通信方法和计算机可读存储介质
- 下一篇:近似匹配