[发明专利]金属膜的沉积

权利要求书

1.一种方法，其包含：

使用第一ALD处理由金属氧氯化物前体和氨沉积第一层，其中所述第一层为金属氧氮化物或金属氮化物层；以及

使用第二ALD处理由金属氧氯化物前体和氢在所述第一层上沉积元素金属层，以及还包含：在所述第二ALD处理期间或之前将所述第一层转化为元素金属层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中经转化的所述元素金属层含有少于1％的原子杂质。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一层是非晶层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述元素金属层是结晶的。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一ALD处理和第二ALD处理是在相同的室中进行且不暴露于空气。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一层是所述元素金属层中金属晶粒生长的模板。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述元素金属层含有少于1％的原子杂质。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述元素金属层为元素钨。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述元素金属层为元素钼。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一层为氮氧化钼和氮化钼中的一者。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一ALD处理是在低于400℃的温度下进行。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第二ALD处理是在大于400℃的温度下进行。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一层的沉积和所述元素金属层的沉积在相同室中进行。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一层的沉积和所述元素金属层的沉积是在相同室的不同站中进行。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一层的沉积是在第一室中进行，而所述元素金属层的沉积是在第二室中进行。

16.根据权利要求1所述的方法，其还包含：在沉积所述元素金属层之前，使所述第一层暴露于空气。

17.根据权利要求1所述的方法，其中所述元素金属层为元素钼，所述第一层为氮氧化钼和氮化钼中的一者，并且所述第一层被转化为元素钼。

18.一种装置，其包含：

第一处理室和第二处理室，其各自被配置成容纳衬底；

衬底支撑件，其位于所述处理室中的每一者中；

气体入口，其被配置成将气体导入所述处理室中的每一者中；

加热器，其被配置成将各个处理室中的所述衬底支撑件加热；以及

控制器，其包含用于下列操作的程序指令：

(a)在衬底被容纳于所述第一处理室中时，按顺序使金属氧氯化物前体和氨进入所述第一处理室以在衬底上沉积金属氮化物或金属氮氧化物层；

(b)在(a)之后，将所述衬底转移至所述第二处理室；以及

(c)在(b)之后，在所述衬底被容纳于所述第二处理室中时，按顺序使金属氧氯化物前体和氢进入所述第二处理室以将所述金属氮化物或金属氮氧化物层转化为第一元素金属层并在所述第一元素金属层上沉积第二元素金属层。

19.一种装置，其包含：

处理室，其具有各自被配置成容纳衬底的一或更多个站；

衬底支撑件，其位于所述一或更多个站中的每一者中；

气体入口，其被配置成将气体导入所述一或多个站中的每一者中；

加热器，其被配置成将每个站中的所述衬底支撑件加热；以及

控制器，其包含用于下列操作的程序指令：

按顺序使金属氧氯化物前体和氨进入所述一或多个站中的每一者中以在衬底上沉积金属氮化物或金属氮氧化物层；以及

按顺序使金属氧氯化物前体和氢进入所述一或多个站中的每一者中以将所述金属氮化物或金属氮氧化物层转化为第一元素金属层并在所述第一元素金属层上沉积第二元素金属层。