[发明专利]使用晶片键合的具有嵌入式高带宽、高容量存储器的设备

权利要求书

1.一种电子设备，包括：

存储器电路，制造在第一半导体管芯上，其中所述存储器电路包括多个模块化存储器单元，每个模块化存储器单元包括(i)存储晶体管的三维阵列、和(ii)暴露于第一半导体管芯表面的导体组，所述导体组被配置用于传达与存储器单元相关联的控制、地址和数据信号；以及

逻辑电路，制造在第二半导体管芯上，其中所述逻辑电路包括多个导体，每个导体暴露在第二半导体管芯的表面，其中第一半导体管芯和第二半导体管芯被晶片键合，使得暴露在第一半导体管芯的表面的导体每个电连接到暴露在第二半导体管芯的表面的导体中的对应的一个导体。

2.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述存储晶体管的三维阵列包括多个NOR存储器串。

3.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一半导体管芯和第二半导体管芯使用倒装芯片技术进行晶片键合。

4.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述存储器电路包括准易失性存储器电路。

5.根据权利要求4所述的电子设备，其中，所述准易失性存储器单元各自具有能够进行一百万次或更多次写入-擦除循环的耐久性。

6.根据权利要求4所述的电子设备，所述存储器电路还包括非易失性存储器电路，其中，所述准易失性存储器电路和所述非易失性存储器电路两者都形成在所述第一半导体管芯上。

7.根据权利要求6所述的电子设备，其中，所述准易失性存储器电路包括存储器单元，每个存储器单元存储多于一位的数据。

8.根据权利要求4所述的电子设备，其中，所述存储器电路还包括非易失性存储器电路。

9.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述模块化存储器单元形成在所述第一半导体管芯的平面衬底上方，并且以常规配置放置。

10.根据权利要求9所述的电子设备，其中，根据常规配置，所述存储器单元沿着多行和多列布置，其中，所述存储器单元根据存储器分段方案被配置成可(a)由存储器单元单独、(b)逐行、或者(c)逐块独立寻址的存储器分段，其中，每个存储器单元块由预定数量的行和预定数量的列内的存储器单元组成。

11.根据权利要求9所述的电子设备，还包括多个配置单元，其中，所述存储器电路包括多个信号路径，所述多个信号路径根据存储器分段方案将所述存储器单元的控制、地址和数据信号连接到它们相应的导体组，所述信号路径由存储在所述配置单元中的值来配置。

12.根据权利要求11所述的电子设备，所述存储器电路还包括开关网络，每个开关由所述配置单元之一控制。

13.根据权利要求12所述的电子设备，其中每个开关包括传输门。

14.根据权利要求11所述的电子设备，其中，所述配置单元是现场可编程的。

15.根据权利要求9所述的电子设备，还包括多个配置单元，其中，所述存储器电路包括多个信号路径，所述多个信号路径根据存储器分段方案将所述存储器单元的控制、地址和数据信号连接到它们相应的导体组，所述信号路径由反熔丝来配置。

16.根据权利要求9所述的电子设备，还包括形成在所述平面衬底中的用于存储器操作的电路。

17.根据权利要求16所述的电子设备，其中，用于存储器操作的电路被提供为多个电路组，其中每个电路组支持存储器单元中的相关联的一个存储器单元的存储器操作，并且形成在相关联的存储器结构下方。