[发明专利]包括至少一个THz设备的装置和操作这种装置的方法在审

专利信息
申请号: 202080011660.3 申请日: 2020-07-17
公开(公告)号: CN113424070A 公开(公告)日: 2021-09-21
发明(设计)人: 吕迪格·马斯特尔;亨利·蒂勒;安德烈亚斯·戈多尔 申请(专利权)人: 赫尔穆特费舍尔股份有限公司电子及测量技术研究所
主分类号: G01S7/484 分类号: G01S7/484;G01S7/486;H01S1/02
代理公司: 北京知帆远景知识产权代理有限公司 11890 代理人: 苏志莲
地址: 德国辛*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 包括 至少 一个 thz 设备 装置 操作 这种 方法
【权利要求书】:

1.一种装置(100;100a;100b;100c;100d;100e;100f;100g;100h;100i;100j;100k;100l;100m),包括配置为发射和/或接收THz辐射(TR;TR1、TR2)的至少一个太赫兹(THz)设备(110;110a),所述装置(100;100a;100b;100c;100d;100e;100f;100g;100h;100i;100j;100k;100l;100m)被配置为在所述THz辐射(TR)的波束路径(BP)的至少一部分(P’)中提供保护气体(PG)的流(F;F41,F42)。

2.根据权利要求1所述的装置(100;100a;100b;100c;100d;100e;100f;100g;100h;100i;100j;100k;100l;100m),其中,所述保护气体(PG)包括或者优选地是以下中的至少一种:a)干燥空气,b)干燥气体,c)干燥气体混合物,d)在所述THz辐射(TR)的频率范围内不包括吸收线的至少一种气体,其中,优选地所述保护气体(PG)所包括的露点温度为-20摄氏度或更低、优选-30摄氏度或更低、进一步优选-40摄氏度或更低,其中,优选地对于所述THz辐射(TR)的任何频率,优选地所述保护气体(PG)实现所述THz辐射(TR)沿所述波束路径(BP)衰减0.1dB或更小。

3.根据前述权利要求中的至少一项所述的装置(100;100a;100b;100c;100d;100e;100f;100g;100h;100i;100j;100k;100l;100m),还包括:a)配置为提供所述保护气体的流(F;F41,F42)的至少一个保护气体供应设备(120;120a),和/或b)用于影响、特别是控制所述保护气体(PG)的流(F)的压力的至少一个压力控制器(128)。

4.根据前述权利要求中至少一项所述的装置(100;100a;100b;100c;100d;100e;100f;100g;100h;100i;100j;100k;100l;100m),其中,所述装置(100;100a;100b;100c;100d;100e;100f;100g;100h;100i;100j;100k;100l;100m)还包括至少一个喷嘴(122;1221,1222),其中,优选地所述至少一个喷嘴(122)被配置和/或布置为将所述保护气体(PG)的流(F)或所述流(F)的至少一部分引导至所述THz辐射(TR)的所述波束路径(BP)的至少一部分(P’),其中,优选地所述至少一个喷嘴(122)是自由射流喷嘴(122;1221)。

5.根据权利要求4所述的装置(100;100a;100b;100c;100d;100e;100f;100g;100h;100i;100j;100k;100l;100m),其中,所述至少一个喷嘴(122)被布置为:a)相对于所述THz辐射(TR)的所述波束路径(BP)或所述至少一个THz设备(110;110a)的参考轴(RA)平行,和/或b)相对于所述THz辐射(TR)的所述波束路径(BP)或所述至少一个THz设备(110;110a)的参考轴(RA)共轴,或者c)相对于所述THz辐射(TR)的所述波束路径(BP)或所述至少一个THz设备(110;110a)的参考轴(RA)成锐角。

6.根据前述权利要求中至少一项所述的装置(100;100a;100b;100c;100d;100e;100f;100g;100h;100i;100j;100k;100l;100m),还包括用于从外部供应源(200)接收保护气体(PG1)的进气口(124)。

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