[发明专利]扩片方法及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202080011743.2 | 申请日： | 2020-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN113366079A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 布施启示;稻男洋一;山田忠知 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | C09J201/00 | 分类号： | C09J201/00;H01L21/301;C09J7/38 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王利波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 方法 半导体 装置 制造 | ||
1.一种扩片方法，该方法包括：
在具有第1晶片面和所述第1晶片面的相反侧的第2晶片面的晶片的所述第2晶片面粘贴具有第1粘合剂层和第1基材的第1粘合片，切入了深度50μm的切痕的所述第1基材的拉伸伸长率为300％以上，
从所述第1晶片面侧切入切痕，将所述晶片单片化为多个芯片，进一步将所述第1粘合片的所述第1粘合剂层切断，
使所述第1粘合片伸展，扩大所述多个芯片的间隔。
2.根据权利要求1所述的扩片方法，其中，
所述切痕以从所述第1晶片面侧到达所述第1基材的深度形成。
3.根据权利要求2所述的扩片方法，其中，
所述第1基材的厚度为T1，
切入所述第1基材的所述切痕的深度T2为0.2×T1以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的扩片方法，其中，
所述第1基材含有热塑性弹性体。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的扩片方法，其中，
所述第1基材含有氨基甲酸酯类弹性体。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的扩片方法，其中，
所述第1粘合剂层含有能量射线固化性树脂。
7.根据权利要求6所述的扩片方法，其中，
在使所述第1粘合片伸展而扩大了所述多个芯片的间隔之后，对所述第1粘合剂层照射能量射线，使所述第1粘合剂层固化。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的扩片方法，其中，
所述第1粘合片为扩展片。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的扩片方法，其中，
所述晶片为半导体晶片。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的扩片方法，其中，
所述第1晶片面具有电路。
11.一种半导体装置的制造方法，该方法包括权利要求1～10中任一项所述的扩片方法。
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