[发明专利]用于静电卡盘的方法及工具

权利要求书

1.一种用于监控静电卡紧性能的方法，包括：

将参考基板定位在工艺腔室中的静电卡盘上；

将翘曲的基板定位在所述参考基板上；

将功率施加至所述静电卡盘中的电极；

使用定位于所述静电卡盘与接地之间的传感器，来监控所述参考基板的阻抗和所述翘曲的基板的阻抗；以及

渐进地减少所述功率的电压，直到所述参考基板的所述阻抗和所述翘曲的基板的所述阻抗偏移为止。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述电压初始设定为约1000V。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述电压以20s的间隔减少约50V。

4.如权利要求2所述的方法，其中所述电压以30s的间隔减少约100V。

5.如权利要求2所述的方法，其中所述电压以10s的间隔减少约25V。

6.一种用于确定半导体工艺腔室参数的方法，包括：

将参考基板定位在工艺腔室中的静电卡盘上；

将翘曲的基板定位在所述参考基板上；

将功率施加至所述静电卡盘中的电极；

使用定位于所述静电卡盘与接地之间的传感器，来监控所述参考基板的阻抗和所述翘曲的基板的阻抗；

渐进地减少所述功率的电压，直到所述参考基板的所述阻抗和所述翘曲的基板的所述阻抗偏移为止；以及

当所述参考基板的所述阻抗和所述翘曲的基板的所述阻抗偏移时，确定所述工艺腔室的工艺参数。

7.如权利要求6所述的方法，进一步包括：在后续的半导体工艺中使用所述工艺参数。

8.如权利要求6所述的方法，其中所述电压初始设定为约1000V。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述电压以20s的间隔减少约50V。

10.如权利要求8所述的方法，其中所述电压以30s的间隔减少约100V。

11.如权利要求8所述的方法，其中所述电压以10s的间隔减少约25V。

12.一种用于在工艺腔室中监控静电卡盘性能的设定，包括：

参考基板，所述参考基板在工艺腔室中的静电卡盘上；

翘曲的基板，所述翘曲的基板在所述参考基板上；

传感器，所述传感器定位于所述静电卡盘与接地之间；

功率源，所述功率源配置成将功率供应至所述静电卡盘中的电极；以及

控制器，所述控制器配置成调节所述工艺腔室的操作，其中所述控制器包括存储器，所述存储器含有指令以用于在处理器上执行包括：

使用所述传感器监控所述参考基板的阻抗和所述翘曲的基板的阻抗；以及

渐进地减少来自所述功率源的电压，直到所述参考基板的所述阻抗和所述翘曲的基板的所述阻抗偏移为止。

13.如权利要求12所述的设定，其中所述电压初始设定为约1000V。

14.如权利要求13所述的设定，其中所述电压以20s的间隔减少约50V。

15.如权利要求13所述的设定，其中所述电压以30s的间隔减少约100V。