[发明专利]含有鎓盐的半导体晶圆的处理液

权利要求书

1.一种处理液，其为在半导体晶圆的形成工序中使用并用于对半导体晶圆所含有的金属进行蚀刻的处理液，其含有：

(A)次氯酸根离子、

(B)下述式(1)所示的烷基铵盐，

式(1)中，a为6～20的整数，R¹、R²、R³独立地为氢原子、或碳数1～20的烷基，X^-为氟化物离子、氯化物离子、碘化物离子、氢氧化物离子、硝酸根离子、磷酸根离子、硫酸根离子、硫酸氢根离子、甲烷硫酸根离子、高氯酸根离子、乙酸根离子、氟硼酸根离子、或三氟乙酸根离子。

2.根据权利要求1所述的处理液，其中，所述(B)的所述式(1)所示的烷基铵盐的浓度为0.0001～10质量％。

3.根据权利要求1或2所述的处理液，其中，所述(A)次氯酸根离子的浓度为0.05～20.0质量％。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的处理液，其含有(C)任选自四甲基铵离子、四乙基铵离子、四丙基铵离子、或四丁基铵离子中的至少一种铵离子。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的处理液，其中，25℃下的pH超过7且小于14.0。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的处理液，其中，所述半导体晶圆所含有的金属为钌。

7.一种蚀刻方法，其包括使权利要求1～6中任一项所述的处理液与半导体晶圆接触的工序。

8.一种处理液，其为包含由鎓离子与阴离子形成的鎓盐的半导体晶圆用处理液，

所述鎓盐为式(2)所示的季鎓盐或式(3)所示的叔鎓盐，

式(2)中，A⁺为铵离子、或磷鎓离子，R¹、R²、R³、R⁴独立地为碳数1～25的烷基、烯丙基、具有碳数1～25的烷基的芳烷基、或芳基；其中，R¹、R²、R³、R⁴为烷基的情况下，R¹、R²、R³、R⁴中的至少一个烷基的碳数为2以上；另外，芳基和芳烷基中的芳基的环中的至少一个氢任选被氟、氯、碳数1～10的烷基、碳数2～10的烯基、碳数1～9的烷氧基、或碳数2～9的烯氧基取代，这些基团中，至少一个氢任选被氟或氯取代；式(3)中，A⁺为锍离子，R¹、R²、R³独立地为碳数1～25的烷基、烯丙基、具有碳数1～25的烷基的芳烷基、或芳基；其中，R¹、R²、R³为烷基的情况下，R¹、R²、R³中的至少一个烷基的碳数为2以上；另外，芳基和芳烷基中的芳基的环中的至少一个氢任选被氟、氯、碳数1～10的烷基、碳数2～10的烯基、碳数1～9的烷氧基、或碳数2～9的烯氧基取代，这些基团中，至少一个氢任选被氟或氯取代；式(2)或式(3)中，X^-为氟化物离子、氯化物离子、碘化物离子、氢氧化物离子、硝酸根离子、磷酸根离子、硫酸根离子、硫酸氢根离子、甲烷硫酸根离子、高氯酸根离子、氯酸根离子、亚氯酸根离子、次氯酸根离子、原高碘酸根离子、偏高碘酸根离子、碘酸根离子、亚碘酸根离子、次碘酸根离子、乙酸根离子、碳酸根离子、碳酸氢根离子、氟硼酸根离子、或三氟乙酸根离子。

9.根据权利要求8所述的处理液，其中，所述季鎓盐为铵盐。

10.根据权利要求8或9所述的处理液，其中，所述季鎓盐为四烷基铵盐。