[发明专利]光接收装置和测距模块在审
申请号: | 202080012330.6 | 申请日: | 2020-03-16 |
公开(公告)号: | CN113383421A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 渡边竜太;山崎武;韩相万 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369;H04N5/374 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 房岭梅;姚鹏 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接收 装置 测距 模块 | ||
1.一种光接收装置,包括:
像素阵列单元,其中,像素以矩阵状二维布置,所述像素具有第一分光器和第二分光器,所述第一分光器检测由光电转换单元进行光电转换的电荷,所述第二分光器检测由所述光电转换单元进行光电转换的电荷,其中,
所述第一分光器和所述第二分光器具有施加电压的电压施加单元,
所述像素阵列单元具有通过从基板的光入射面侧挖到预定深度而形成的槽部,并且
所述槽部被布置成在平面图中与所述电压施加单元的至少一部分重叠。
2.根据权利要求1所述的光接收装置,其中,
所述槽部的平面形状是格子状。
3.根据权利要求2所述的光接收装置,其中,
格子间距等于像素间距。
4.根据权利要求2所述的光接收装置,其中,
格子间距等于像素间距的一半。
5.根据权利要求2所述的光接收装置,其中,
所述槽部不形成在格子的交叉部分处。
6.根据权利要求2所述的光接收装置,其中,
在所述槽部中,格子的交叉部分是所述像素的边界部分的位置。
7.根据权利要求2所述的光接收装置,其中,
在所述槽部中,格子的交叉部分是所述像素的中心部分的位置。
8.根据权利要求2所述的光接收装置,其中,
所述槽部在相邻像素之间双重地形成。
9.根据权利要求1所述的光接收装置,其中,
在所述槽部中嵌入绝缘层或金属层。
10.根据权利要求1所述的光接收装置,其中,
所述像素阵列单元还在所述基板的所述光入射面侧的像素之间具有遮光膜。
11.根据权利要求1所述的光接收装置,其中,
所述电压施加单元由相邻的两个像素共用。
12.根据权利要求1所述的光接收装置,其中,
所述像素在所述基板的所述光入射面上具有凹凸部。
13.一种测距模块,包括:
光接收装置,其具有像素阵列单元,在所述像素阵列单元中,像素以矩阵状二维布置,所述像素具有第一分光器和第二分光器,所述第一分光器检测由光电转换单元进行光电转换的电荷,所述第二分光器检测由所述光电转换单元进行光电转换的电荷,
所述第一分光器和所述第二分光器具有施加电压的电压施加单元,
所述像素阵列单元具有通过从基板的光入射面侧挖到预定深度而形成的槽部,并且
所述槽部被布置成在平面图中与所述电压施加单元的至少一部分重叠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的