[发明专利]基于混合TFT的微型显示投影仪的架构在审

专利信息
申请号: 202080012397.X 申请日: 2020-01-29
公开(公告)号: CN113383263A 公开(公告)日: 2021-09-10
发明(设计)人: 丹尼尔·莫里斯;约翰·高厄德 申请(专利权)人: 脸谱科技有限责任公司
主分类号: G02B27/01 分类号: G02B27/01;H01L27/06;H01L27/12;H01L27/146
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 张少波;杨明钊
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 基于 混合 tft 微型 显示 投影仪 架构
【权利要求书】:

1.一种装置,包括:

发光二极管(LED)阵列,其包括分层外延结构,所述分层外延结构包括第一掺杂半导体层、第二掺杂半导体层以及在所述第一掺杂半导体层和所述第二掺杂半导体层之间的发光层;

薄膜电路层,所述薄膜电路层被沉积在所述LED阵列上,其中,所述LED阵列是所述薄膜电路层的支撑结构,并且所述薄膜电路层包括用于控制所述LED阵列中的LED的操作的电路;以及

背板,使用多个金属键合件将所述背板与所述薄膜电路层耦合,所述背板包括用于通过所述多个金属键合件向所述薄膜电路层供应电流的驱动电路,其中,所述多个金属键合件的数量少于所述LED阵列中的LED的数量。

2.根据权利要求1所述的装置,其中:

所述LED阵列具有发光侧和与所述发光侧相对的一侧,以及所述薄膜电路层被沉积在所述LED阵列的与所述发光侧相对的一侧;以及

所述薄膜电路层包括晶体管和电容器,所述晶体管和所述电容器互连以形成用于控制所述LED阵列中的LED的操作的像素电路。

3.根据权利要求2所述的装置,其中,所述像素电路实施模拟、脉冲编码调制或脉冲宽度调制以控制所述LED阵列中的LED的强度。

4.根据权利要求2所述的装置,其中,像素电路的存储电容器被配置为通过一个或更多个选择信号耦合到数据线。

5.根据权利要求2所述的装置,其中,像素电路互连以减少在所述背板和所述薄膜电路层之间的金属键合件的数量。

6.根据权利要求1所述的装置,其中,所述背板被配置为通过所述多个金属键合件中的一个金属键合件将全局信号传输到所述薄膜电路层,其中,所述全局信号包括以下中的一者或更多者:行数据线、列数据线、模拟偏压、供电电压、脉冲时钟或测试启用特征。

7.根据权利要求1所述的装置,其中,所述薄膜电路层包括选择器多路复用器。

8.根据权利要求7所述的装置,其中:

所述选择器多路复用器包括在所述薄膜电路层中的公共信号线,所述公共信号线与薄膜电路层中的多个晶体管电耦合;以及

所述多个晶体管被配置为交替激活,使得来自所述公共信号线的电流周期性地通过所述多个晶体管中的每一个。

9.根据权利要求1所述的装置,其中:

为所述LED阵列中的每个LED分配唯一地址;以及

控制信号包括所述唯一地址和操作信号,以控制所述LED阵列中的所选LED的操作。

10.根据权利要求9所述的装置,其中:

所述操作信号被配置为控制流经所选LED的电流的幅度;以及

所述操作信号包括数字信号,所述数字信号表示在电流流向所选LED的时间段内的时间百分比。

11.一种方法,包括:

获得半导体结构,其中,所述半导体结构是分层外延结构,所述分层外延结构包括第一掺杂半导体层、第二掺杂半导体层以及在所述第一掺杂半导体层和所述第二掺杂半导体层之间的发光层;

在所述半导体结构上沉积薄膜电路层;

在所述薄膜电路层中形成用于控制所述发光层的光发射的电路;

获得背板,所述背板包括用于通过多个金属键合件向所述薄膜电路层供应电流的驱动电路;

在所述薄膜电路层上或在所述背板上形成多个互连件;

使用所述多个互连件将所述背板键合至所述薄膜电路层,其中,所述多个互连件在键合之后成为所述多个金属键合件;以及

由所述半导体结构形成发光二极管(LED)阵列,其中,所述多个金属键合件的数量少于所述LED阵列中的LED的数量,所述LED阵列具有发光侧和与所述发光侧相对的一侧,并且其中,所述薄膜电路层沉积在与所述发光侧相对的一侧上。

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