[发明专利]碳掺杂氧化硅的沉积

权利要求书

1.一种用于将碳掺杂氧化硅膜沉积到衬底上的方法，该方法包括以下步骤：

a)在反应器中提供衬底；

b)向所述反应器中引入至少一种选自式A至C的第一硅前体

其中R¹选自直链C₁至C₁₀烷基、支链C₃至C₁₀烷基、C₃至C₁₀环状烷基、C₃至C₁₀杂环基、C₃至C₁₀烯基、C₃至C₁₀炔基和C₄至C₁₀芳基；R²选自氢、C₁至C₁₀直链烷基、支链C₃至C₁₀烷基、C₃至C₁₀环状烷基、C₃至C₁₀杂环基、C₂至C₁₀烯基、C₂至C₁₀炔基和C₄至C₁₀芳基，其中式A或B中的R¹和R²连接以形成环结构或不连接形成环结构；R^3-9各自独立地选自氢、直链C₁至C₁₀烷基、支链C₃至C₁₀烷基、C₃至C₁₀环状烷基、C₂至C₁₀烯基、C₂至C₁₀炔基和C₄至C₁₀芳基；R¹⁰选自直链C₁至C₁₀烷基、C₂至C₁₀烯基和C₂至C₁₀炔基；

c)用吹扫气体吹扫所述反应器以除去未吸附在所述衬底上的任何所述至少一种第一硅前体的至少一部分；

d)将含氧源引入所述反应器中以与所述至少一种第一硅前体反应并形成氧化硅膜；

e)用吹扫气体吹扫所述反应器以除去任何未反应的含氧源的至少一部分；

f)重复步骤b至e，直到沉积所需厚度的所述氧化硅膜；

g)用具有式R³_xSi(NR¹R²)_4-x的第二硅前体处理所述氧化硅膜以形成所述碳掺杂的氧化硅膜，其中R^1-3的定义如上，且x＝1、2或3；和

h)用吹扫气体吹扫所述反应器以除去来自用所述第二硅前体处理所述氧化硅膜的任何副产物的至少一部分；

其中所述方法在约20℃至300℃范围的一个或多个温度下进行。

2.根据权利要求1所述的方法，其中R^1-2中的每一个是C₁至C₄烷基。

3.根据权利要求1所述的方法，其中R^1-3各自独立地选自甲基和乙基。