[发明专利]高温超导结构体

权利要求书

1.一种超导体器件，包含：

低维材料，其中所述低维材料的临界温度高于对应于所述低维材料的块体形式的临界温度。

2.根据权利要求1所述的超导体器件，其中所述低维材料是一维材料，所述一维材料包括碳纳米管、石墨烯纳米带或纳米线中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的超导体器件，其中所述低维材料是零维材料，所述零维材料包括纳米晶体或纳米级粒子中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的超导体器件，进一步包含多个连接到低维材料的官能团。

5.根据权利要求4所述的超导体器件，其中所述多个官能团包括氢或钾中的至少一种。

6.根据权利要求4所述的超导体器件，其中所述多个官能团连接到所述低维材料的边缘或所述低维材料的基面中的至少一个。

7.根据权利要求1所述的超导体器件，其中所述低维材料包括包含单层原子的晶态材料。

8.根据权利要求1所述的超导体器件，其中所述低维材料是临界温度高于100K的超导体。

9.根据权利要求1所述的超导体器件，其中通过液体门控、电解质门控或施加电压中的至少一种来对所述低维材料进行掺杂。

10.根据权利要求1所述的超导体器件，其中所述低维材料用掺杂剂物质化学官能化，所述掺杂剂物质包括固定于所述低维材料的第一结合部分和可移除地连接到所述第一结合部分的第一自由部分。

11.根据权利要求1所述的超导体器件，其中所述低维材料嵌入有掺杂剂物质。

12.根据权利要求1所述的超导体器件，其中所述掺杂剂物质被吸附到低维材料的表面上。

13.根据权利要求1所述的超导体器件，其中所述低维材料是第一低维材料并且所述第一低维材料紧邻第二低维材料。

14.根据权利要求1所述的超导体器件，其中所述低维材料是超导线、光电探测器的部件、量子计算机的部件、互连件或硅芯片的部件中的至少一种。

15.根据权利要求1所述的超导体器件，其中所述低维材料是磁体的部件或核磁共振器件的部件中的至少一种。

16.根据权利要求1所述的超导体器件，其中所述低维材料是单层、双层或多层中的至少一种。

17.根据权利要求1所述的超导体器件，其中所述低维材料是氢化物。

18.根据权利要求1所述的超导体器件，其中所述低维材料形成约瑟夫森隧道网络。

19.根据权利要求1所述的超导体器件，其中所述低维材料与聚合物衬底耦合。

20.根据权利要求1所述的超导体器件，其中所述低维材料包括多个sp²杂化原子或多个sp³杂化原子中的至少一种。

21.一种超导体器件，包含：

低维材料，其中所述低维材料的临界温度高于对应于所述低维材料的块体形式的临界温度；

其中所述低维材料为二维材料。

22.根据权利要求21所述的超导体器件，其中所述二维材料包括石墨烯、二硫化钼、二硒化钨、石墨炔、硼烯、锗烯、有机硅、锡烯、磷烯、铋烯、石墨烯或六方氮化硼中的至少一种。