[发明专利]传感器设备及其操作方法在审
申请号: | 202080012847.5 | 申请日: | 2020-01-24 |
公开(公告)号: | CN113396315A | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 恩斯特·哈尓德;托斯腾·韦格纳 | 申请(专利权)人: | 诺沃科技传感器无限公司 |
主分类号: | G01D5/14 | 分类号: | G01D5/14 |
代理公司: | 北京知帆远景知识产权代理有限公司 11890 | 代理人: | 苏志莲 |
地址: | 德国奥斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 设备 及其 操作方法 | ||
1.一种设备(100;100a;100b;100c;100d;100e;100f)、特别是传感器设备,包括:沿着纵向轴线(112)延伸的用于产生磁场的磁体排列结构(120),所述磁体排列结构(120)被配置为产生至少具有沿所述纵向轴线(112)变化的第一径向磁场分量(Bx)的所述磁场;以及磁传感器装置(130),所述磁传感器装置(130)以沿所述纵向轴线(112)相对于所述磁体排列结构(120)能够移动的方式布置并且包括第一磁传感器(131)和第二磁传感器(132)。
2.根据权利要求1所述的设备(100;100a;100b;100c;100d;100e;100f),其中,所述设备(100;100a;100b;100c;100d;100e;100f)包括用于容纳所述磁体排列结构(120)的支撑件(110;2000)。
3.根据权利要求2所述的设备(100;100a;100b;100c;100d;100e;100f),其中,所述支撑件(110)形成为基本上中空的圆柱形,并且其中,所述磁体排列结构(120)径向地布置在所述支撑件(110)的内侧。
4.根据前述权利要求中至少一项所述的设备(100;100a;100b;100c;100d;100e;100f),其中,a)所述磁体排列结构(120)能够以静止的方式布置,特别是能够附接到一个支撑件(110)或所述支撑件(110)和/或目标系统(2000),并且其中,特别是所述传感器装置(130)能够相对于所述磁体排列结构(120)、特别是能够至少沿所述纵向轴线(112)移动(A1、A2);或b)所述传感器装置(130)能够以静止的方式布置,特别是能够附接到目标系统(2000”),并且其中,特别是所述磁体排列结构(120)能够相对于所述传感器装置(130)、特别是能够至少沿所述纵向轴线(112)移动(A1'、A2');或c)所述磁体排列结构(120)能够特别是至少沿所述纵向轴线(112)移动,并且其中,所述传感器装置(130)也能够相对于所述磁体排列结构(120)、特别是至少沿所述纵向轴线(112)移动(A1、A2)。
5.根据前述权利要求中至少一项所述的设备(100;100a;100b;100c;100d;100e;100f),其中,所述第一磁传感器(131)具有第一传感器类型,并且其中,所述第二磁传感器(132)具有与所述第一传感器类型不同的第二传感器类型。
6.根据前述权利要求中至少一项所述的设备(100;100a;100b;100c;100d;100e;100f),其中,所述磁体排列结构(120)被配置为产生的所述磁场具有沿所述纵向轴线(112)变化的至少一个所述第一径向磁场分量(Bx)并且具有优选地垂直于所述第一径向磁场分量(Bx)、沿所述纵向轴线(112)变化的第二径向磁场分量(By)。
7.根据前述权利要求中至少一项所述的设备(100;100a;100b;100c;100d;100e;100f),其中,所述第一径向磁场分量(Bx)和/或所述第二径向磁场分量(By)沿所述纵向轴线(112)至少在某些区域中以正弦或余弦的方式变化。
8.根据前述权利要求中至少一项所述的设备(100;100a;100b;100c;100d;100e;100f),其中,所述第一径向磁场分量(Bx)和/或所述第二径向磁场分量(By)沿所述纵向轴线(112)至少在某些区域中以非正弦或非余弦的方式变化。
9.根据前述权利要求中至少一项所述的设备(100;100a;100b;100c;100d;100e;100f),其中,所述第一径向磁场分量(Bx)和/或所述第二径向磁场分量(By)沿所述纵向轴线(112)至少在某些区域中以至少近似线性的方式变化。
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