[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

具备：

半导体芯片(10、10a～10c)；

第1导电性部件(30)，设在上述半导体芯片的背面侧；以及

第2导电性部件(20、40)，设在上述半导体芯片的背面的相反面即表面侧；

上述半导体芯片具备：

半导体基板(11、11a)，具有形成有元件的多个有源区域(a1～a4、a11～a16)和配置在上述有源区域间及上述有源区域的外周的没有形成上述元件的非有源区域(na1～na5)；

表层电极(14)，在多个上述有源区域上及多个上述有源区域间的上述非有源区域上连续地配置；以及

第1栅极布线(12)和第2栅极布线(13)，作为在上述非有源区域的上述表面侧设置的栅极布线，上述第1栅极布线(12)配置在上述表层电极的周边，上述第2栅极布线(13)配置在与上述表层电极对置的位置。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第1栅极布线具有多晶硅布线和金属布线，上述第2栅极布线不具有金属布线而具有多晶硅布线。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

上述第1导电性部件包括将从上述半导体芯片产生的热散热的第1散热部(31)；

上述第2导电性部件包括将从上述半导体芯片产生的热散热的第2散热部(41)。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

上述第2导电性部件在上述第2散热部与上述半导体芯片之间具有将上述表层电极与上述第2散热部电连接的接线柱(20)；

上述接线柱的线膨胀系数是上述第1散热部及上述第2散热部与上述半导体基板之间的值。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

上述半导体芯片在不与上述接线柱对置的位置设有感温二极管。

6.如权利要求4或5所述的半导体装置，其特征在于，

上述接线柱设在不与上述第1栅极布线对置的位置。

7.如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述半导体芯片在非导通区域设有感温二极管(17)。

8.如权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述半导体基板是硅半导体。

9.如权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述半导体基板是宽带隙半导体。

10.如权利要求1～9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述表层电极在电极表面设有导电性的连接部件；

上述电极表面被施以了用来提高与上述连接部件之间的接合力的表面处理。

11.如权利要求1～10中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述表层电极具有：

连接部(141)，是配置在多个上述有源区域中的隔着上述第2栅极布线而相邻的至少2个有源区域上的部分，与上述至少2个有源区域连接；以及

桥接部(142)，是位于上述非有源区域上的部分，并且隔着绝缘部(15)而配置在上述第2栅极布线上，与上述连接部相连。