[发明专利]半导体集成电路装置

权利要求书

1.一种半导体集成电路装置，其特征在于：

所述半导体集成电路装置包括多个单元列，所述多个单元列分别包括沿第一方向并排配置的多个标准单元，

作为所述多个单元列之一的第一单元列包括第一标准单元和第二标准单元，所述第一标准单元具有逻辑功能，所述第二标准单元配置于所述第一单元列的两端中的至少一者，且不具有逻辑功能，

所述第一标准单元包括第一电源布线、第二电源布线、第一晶体管、第二晶体管、栅极布线、第一局部布线及第二局部布线、以及第三局部布线及第四局部布线，

所述第一电源布线沿所述第一方向延伸，供给第一电源电压，

所述第二电源布线沿所述第一方向延伸，供给与所述第一电源电压不同的第二电源电压，

所述第一晶体管是第一导电型的立体构造晶体管，

所述第二晶体管是在深度方向上形成于比所述第一晶体管高的位置的第二导电型的立体构造晶体管，

所述栅极布线沿与所述第一方向垂直的第二方向和所述深度方向延伸，成为所述第一晶体管及所述第二晶体管的栅极，

所述第一局部布线及所述第二局部布线沿所述第二方向延伸，分别与所述第一晶体管的源极及漏极连接，

所述第三局部布线及所述第四局部布线沿所述第二方向延伸，分别与所述第二晶体管的源极及漏极连接，

所述第二标准单元包括第三电源布线、第四电源布线、虚设栅极布线、第五局部布线以及第六局部布线，

所述第三电源布线沿所述第一方向延伸，供给所述第一电源电压，

所述第四电源布线沿所述第一方向延伸，供给所述第二电源电压，

所述虚设栅极布线沿所述第二方向和所述深度方向延伸，在深度方向上与所述栅极布线配置于同层，

所述第五局部布线在所述深度方向上与所述第一局部布线及所述第二局部布线配置于同层，

所述第六局部布线在所述深度方向上与所述第三局部布线及所述第四局部布线配置于同层，俯视时，所述第六局部布线与所述第五局部布线具有重合部分。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

所述栅极布线和所述虚设栅极布线在所述第二方向上以相同的长度形成。

3.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

俯视时，所述第一晶体管和所述第二晶体管位于相同的位置，

所述第五局部布线及所述第六局部布线沿所述第二方向延伸，并且，在所述第二方向上，所述第五局部布线及所述第六局部布线的一端位于与所述第一局部布线至所述第四局部布线的一端中离所述第一晶体管及所述第二晶体管最远的一端相同的位置，所述第五局部布线及所述第六局部布线的另一端位于与所述第一局部布线至所述第四局部布线的另一端中离所述第一晶体管及所述第二晶体管最远的另一端相同的位置。

4.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

所述第二标准单元与所述第一标准单元相邻配置，

在所述第一标准单元与所述第二标准单元的边界，以在所述第二方向及所述深度方向上延伸的方式，设置有第二虚设栅极布线，

所述栅极布线、所述虚设栅极布线和所述第二虚设栅极布线在所述第一方向上以相同间距配置。

5.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

所述第二标准单元与所述第一标准单元相邻配置，

所述第一局部布线、所述第二局部布线和所述第五局部布线在所述第一方向上以相同间距配置，

所述第三局部布线、所述第四局部布线和所述第六局部布线在所述第一方向上以相同间距配置。

6.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于：

所述第五局部布线及所述第六局部布线与所述第三电源布线连接。