[发明专利]电力用半导体装置和电力变换装置

权利要求书

1.一种电力用半导体装置，具有包括角部的末端区域以及所述末端区域的内侧的元件区域，所述电力用半导体装置具备：

半导体基板，跨越所述元件区域和所述末端区域；

层间绝缘膜，在所述末端区域中在所述半导体基板上具有外缘；

电极，在所述元件区域中与所述半导体基板相接，在所述末端区域中在所述层间绝缘膜上具有外缘；以及

绝缘保护膜，覆盖所述层间绝缘膜的所述外缘和所述电极的所述外缘，在所述电极上具有内缘，

在所述末端区域的所述角部，所述层间绝缘膜的所述外缘具有曲率半径R1，所述绝缘保护膜的所述内缘具有曲率半径R2，所述曲率半径R2大于所述曲率半径R1。

2.根据权利要求1所述的电力用半导体装置，其中，

所述绝缘保护膜包含有机物。

3.根据权利要求1或2所述的电力用半导体装置，其中，

所述层间绝缘膜包含无机物。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的电力用半导体装置，其中，

所述绝缘保护膜的线膨胀率大于所述层间绝缘膜的线膨胀率。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的电力用半导体装置，其中，

还具备覆盖所述电极和所述绝缘保护膜的密封构件。

6.根据权利要求5所述的电力用半导体装置，其中，

所述密封构件包含热固化性树脂。

7.根据权利要求6所述的电力用半导体装置，其中，

所述热固化性树脂包含环氧树脂。

8.根据权利要求5至7中的任一项所述的电力用半导体装置，其中，

所述密封构件的线膨胀率大于所述绝缘保护膜的线膨胀率。

9.根据权利要求5至8中的任一项所述的电力用半导体装置，其中，

所述层间绝缘膜的线膨胀率小于所述密封构件的线膨胀率。

10.根据权利要求1至9中的任一项所述的电力用半导体装置，其中，

所述半导体基板的至少一部分包含碳化硅。

11.根据权利要求1至10中的任一项所述的电力用半导体装置，其中，

所述半导体基板具有100μm以下的厚度。

12.根据权利要求1至11中的任一项所述的电力用半导体装置，其中，

所述绝缘保护膜具有开口部，该开口部具有所述半导体基板的面积的一半以上的面积。

13.根据权利要求1至12中的任一项所述的电力用半导体装置，其中，

在所述末端区域的所述角部，所述电极的所述外缘具有曲率半径R3，所述曲率半径R3小于所述曲率半径R1。

14.根据权利要求1至13中的任一项所述的电力用半导体装置，其中，

所述层间绝缘膜的外缘的曲线部分的曲率半径和所述绝缘保护膜的所述内缘的曲率半径在与所述末端区域的所述角部的半角对应的虚拟线上具有最小值。

15.根据权利要求1至14中的任一项所述的电力用半导体装置，其中，

在所述电极上还具备具有外端面的金属层，

所述绝缘保护膜具有与所述金属层的所述外端面相向的内端面。

16.根据权利要求15所述的电力用半导体装置，其中，

所述绝缘保护膜的所述内端面与所述金属层的所述外端面至少局部地彼此相接。