[发明专利]氧化物烧结体、溅射靶及溅射靶的制造方法在审

专利信息
申请号: 202080013869.3 申请日: 2020-02-13
公开(公告)号: CN113423860A 公开(公告)日: 2021-09-21
发明(设计)人: 海上晓 申请(专利权)人: 出光兴产株式会社
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C04B35/453
代理公司: 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 代理人: 陈亦欧;毛立群
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 氧化物 烧结 溅射 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种氧化物烧结体,其特征在于,

所述氧化物烧结体的表面的维氏硬度的平均值超过500Hv、小于900Hv。

2.一种溅射靶,其特征在于,

包含权利要求1所述的氧化物烧结体。

3.如权利要求2所述的溅射靶,其特征在于,

所述氧化物烧结体包含铟元素、锡元素及锌元素。

4.如权利要求3所述的溅射靶,其特征在于,

所述氧化物烧结体还包含X元素,

X元素是从由锗元素、硅元素、钇元素、锆元素、铝元素、镁元素、镱元素及镓元素构成的组中选择的至少1种以上的元素。

5.如权利要求3或4所述的溅射靶,其特征在于,

所述氧化物烧结体满足以下述式(1)、(2)及(3)表示的原子组成比的范围,

0.40≤Zn/(In+Sn+Zn)≤0.80…(1)

0.15≤Sn/(Sn+Zn)≤0.40…(2)

0.10≤In/(In+Sn+Zn)≤0.35…(3)。

6.如权利要求2~5的任一项所述的溅射靶,其特征在于,

所述氧化物烧结体包含以In2O3(ZnO)m表示的六方晶层状化合物及以Zn2-xSn1-yInx+yO4表示的尖晶石结构化合物,其中m=2~7,0≤x<2,0≤y<1。

7.一种溅射靶的制造方法,用于制造如权利要求2~6的任一项所述的溅射靶,其特征在于,包括:

对所述氧化物烧结体的原料进行造粒,获得粒径为25μm以上、150μm以下的原料造粒粉的工序;

将所述原料造粒粉填充到模具内,使填充在所述模具内的所述原料造粒粉成形来得到成形体的工序;

对所述成形体以1310℃以上、1440℃以下进行烧结的工序。

8.如权利要求7所述的溅射靶的制造方法,其特征在于,

所述原料造粒粉的粒径为25μm以上、75μm以下。

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