[发明专利]半导体装置及半导体装置的工作方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一放大电路；

第二放大电路；以及

电容器，

其中，所述第一放大电路包括第一输出端子，

所述第二放大电路包括输入端子、第二输出端子、第一晶体管及第二晶体管，

所述第一输出端子与所述电容器的第一电极电连接，

所述电容器的第二电极与所述输入端子电连接，

所述输入端子与所述第一晶体管的栅极及所述第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接，

所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二输出端子电连接，

所述第二放大电路具有放大供应到所述输入端子的信号并将其供应到所述第二输出端子的功能，

所述第二晶体管具有向所述输入端子供应电位并保持该电位的功能，

并且，所述第二晶体管的沟道形成区域包括包含铟和镓中的至少一个的金属氧化物。

2.一种半导体装置，包括：

第一放大电路；

第二放大电路；以及

电容器，

其中，所述第一放大电路包括第一输出端子，

所述第二放大电路包括第一晶体管、第二晶体管、高电位布线、低电位布线及第一半导体元件，

所述第一半导体元件包括第三电极及第四电极，

所述第一输出端子与所述电容器的第一电极电连接，

所述电容器的第二电极与所述第一晶体管的栅极及所述第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接，

所述第二晶体管的沟道形成区域包括包含铟和镓中的至少一个的金属氧化物，

所述第三电极与所述高电位布线电连接，

所述第四电极及所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二输出端子电连接，

并且，所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个与所述低电位布线电连接。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，

其中所述第一半导体元件包括第三晶体管，

所述第三电极与所述第三晶体管的源极和漏极中的一个电连接，

并且所述第四电极与所述第三晶体管的源极和漏极中的另一个电连接。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，

其中所述第一半导体元件包括串联连接的多个晶体管，

所述第三电极与所述串联连接的多个晶体管的一端晶体管的源极或漏极电连接，

并且所述第四电极与所述串联连接的多个晶体管的另一端晶体管的源极或漏极电连接。

5.一种半导体装置的工作方法，该半导体装置包括：

第一放大电路；

第二放大电路；以及

电容器，

其中，所述第一放大电路包括第一输出端子，

所述第二放大电路包括输入端子、第二输出端子及第一晶体管，

所述第一输出端子与所述电容器的第一电极电连接，

所述电容器的第二电极与所述输入端子及所述第一晶体管的栅极电连接，

并且，所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二输出端子电连接，

该半导体装置的工作方法包括如下步骤：

从所述第一输出端子输出电位V1并向所述输入端子供应电位V2的第一步骤；

保持所述输入端子的所述电位V2的第二步骤；以及

通过将从所述第一输出端子输出的电位从所述电位V1改变为电位(V1+ΔV1)，所述输入端子的所述电位V2变为电位(V2+ΔV1)，从所述第二输出端子输出放大所述电位(V2+ΔV1)的信号的第三步骤。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的工作方法，

其中所述第二放大电路包括第二晶体管，

所述第一晶体管的栅极与所述第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接，

在所述第一步骤中，所述第二晶体管处于开启状态，

并且在所述第二步骤及所述第三步骤中，所述第一晶体管处于关闭状态。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的工作方法，其中所述第二晶体管的沟道形成区域包括包含铟和镓中的至少一个的金属氧化物。