[发明专利]基板处理装置、基板处理系统以及对载置台进行对位的方法在审
申请号: | 202080014395.4 | 申请日: | 2020-02-14 |
公开(公告)号: | CN113439328A | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 小林民宏;山岸孝幸 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/31;H01L21/683;C23C16/44 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 系统 以及 载置台 进行 对位 方法 | ||
提供能够相对简便地进行载置台的位置调节的基板处理装置。基板处理装置包括分别载置作为处理对象的基板的多个载置台、自下表面侧支承各载置台的多个支柱以及自基端侧支承多个支柱的共用的基台部。位置调节机构具有设于基台部与各支柱之间并固定于基台部侧的固定构件、配置于其上方并对支柱的基端部进行定位而用于调节载置台的位置的位置调节构件以及分别设于围绕在支柱的周围的至少三个部位并以能够调节固定构件与位置调节构件之间的间隙的高度的状态将位置调节构件安装于固定构件的多个间隙高度调节部。多个位置调节机构中的至少一个位置调节机构在一个部位设有以固定了所述间隙的高度的状态将位置调节构件安装于固定构件的固定安装部。
技术领域
本公开涉及一种基板处理装置。
背景技术
在半导体装置的制造工序中,通过对作为基板的半导体晶圆(以下记为晶圆)供给各种处理气体,从而进行成膜、蚀刻等各种各样的处理。这种基板处理有时在处理容器内配置有载置台并在该载置台上载置有基板的状态下进行。
例如,在专利文献1中,记载有一种在用于槽加工用磨石的形成的双面砂轮修整器设置的固定台的位置调节技术,在专利文献2中,记载有一种使光学透镜的压制成型所使用的模具压紧件水平移动的技术。另外,在专利文献3中记载有一种进行丝网印刷用的丝网印版的定位的技术。
然而,在这些专利文献中并未记载与基板处理所使用的载置台的位置调节相关的技术。
专利文献1:日本特开2011-161621号公报
专利文献2:日本特开2009-241464号公报
专利文献3:日本特开2002-53328号公报
发明内容
本公开提供一种能够相对简便地进行载置台的位置调节的基板处理装置。
本公开的基板处理装置向基板供给处理气体而进行处理,其中,
该基板处理装置包括:
多个载置台,其配置于处理容器内,分别载置作为处理对象的基板;
多个支柱,其分别自所述多个载置台的下表面侧支承所述多个载置台,该多个支柱贯穿所述处理容器的底面而向下方侧突出;
共用的基台部,其自所述多个支柱的基端侧支承所述多个支柱;以及
多个位置调节机构,其具有:固定构件,该固定构件设于各支柱的基端与所述基台部之间,并固定于所述基台部侧;位置调节构件,该位置调节构件配置于所述固定构件的上方,并且对所述支柱的基端部进行定位,用于调节被该支柱支承的载置台的位置;以及多个间隙高度调节部,该多个间隙高度调节部分别设于沿周向围绕在所述支柱的周围的至少三个部位,以能够调节所述固定构件与位置调节构件之间的间隙的高度的状态将该位置调节构件安装于固定构件,
所述多个位置调节机构中的至少一个位置调节机构在所述至少三个部位中的一个部位代替所述间隙高度调节部而设有固定安装部,该固定安装部以固定了所述间隙的高度的状态将位置调节构件安装于固定构件。
根据本公开,能够相对简便地进行基板处理装置的载置台的位置调节。
附图说明
图1是说明本公开的一实施方式的基板处理系统的结构的俯视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造