[发明专利]物理气相沉积系统与处理

权利要求书

1.一种物理气相沉积(PVD)腔室，包括：

多个阴极组件，包括第一阴极组件和第二阴极组件，所述第一阴极组件包括在溅射处理期间支撑第一靶的第一背板，所述第二阴极组件包括被配置为在溅射处理期间支撑第二靶的第二背板；

在所述多个阴极组件下方的上屏蔽件，所述上屏蔽件具有第一屏蔽孔和第二屏蔽孔，所述第一屏蔽孔具有直径并位于所述上屏蔽件上以暴露所述第一阴极组件，所述第二屏蔽孔具有直径并位于所述上屏蔽件上以暴露所述第二阴极组件，除了所述第一屏蔽孔和所述第二屏蔽孔之间的区域之外，所述上屏蔽件具有平坦的内表面；以及

在所述第一屏蔽孔和所述第二屏蔽孔之间的所述区域中的凸起区域，所述凸起区域具有高度，所述高度距所述平坦的内表面大于一厘米，并且所述凸起区域具有长度，所述长度大于所述第一屏蔽孔的所述直径和所述第二屏蔽孔的所述直径，其中所述PVD腔室被配置为从所述第一靶和所述第二靶交替地溅射材料，而没有旋转所述上屏蔽件。

2.如权利要求1所述的PVD腔室，其中所述凸起区域具有足够的高度，使得在溅射处理期间，所述凸起区域防止从所述第一靶溅射出的材料被沉积在所述第二靶上，并防止从所述第二靶溅射出的材料被沉积在所述第一靶上。

3.如权利要求1所述的PVD腔室，其中所述第一阴极组件包括以第一距离与所述第一背板间隔开的第一磁体，且所述第二阴极组件包括以第二距离与所述第二背板间隔开的第二磁体，其中所述第一磁体和所述第二磁体是可移动的，使得所述第一距离可以改变且所述第二距离可以改变。

4.如权利要求3所述的PVD腔室，其中所述第一磁体和所述第二磁体被配置成移动以减小所述第一距离和所述第二距离来增加由所述第一磁体和所述第二磁体产生的磁场强度，以及被配置成移动以增大所述第一距离和所述第二距离来减小由所述第一磁体和所述第二磁体产生的磁场强度。

5.如权利要求3所述的PVD腔室，其中所述第一靶包括钼靶且所述第二靶包括硅靶，所述PVD腔室进一步包括第三阴极组件和第四阴极组件，所述第三阴极组件包括用以在溅射处理期间支撑第三靶的第三背板，所述第四阴极组件包括被配置为支撑第四靶的第四背板。

6.如权利要求5所述的PVD腔室，其中所述第三靶包括虚拟靶，且所述第四靶包括虚拟靶。

7.如权利要求6所述的PVD腔室，其中第三靶和所述第四靶相对于所述第一靶和所述第二靶定位，使得当所述上屏蔽件处于第一位置时，所述第一靶通过所述第一屏蔽孔暴露且所述第二靶通过所述第二屏蔽孔暴露，且所述第三靶和所述第四靶由所述上屏蔽件覆盖，而当所述上屏蔽件旋转到第二位置时，所述第四靶通过所述第二屏蔽孔暴露，且所述第二靶通过所述第一屏蔽孔暴露。

8.如权利要求7所述的PVD腔室，其中当所述上屏蔽件旋转到第三位置时，所述第一靶通过所述第二屏蔽孔暴露，且所述第四靶通过所述第一屏蔽孔暴露。