[发明专利]清洗剂组合物以及清洗方法在审
申请号: | 202080014654.3 | 申请日: | 2020-02-14 |
公开(公告)号: | CN113439324A | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 荻野浩司;新城彻也;柄泽凉;奥野贵久 | 申请(专利权)人: | 日产化学株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;C11D7/32;C11D7/50 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 吕琳;朴秀玉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 洗剂 组合 以及 清洗 方法 | ||
1.一种清洗剂组合物,其特征在于,所述清洗剂组合物用于去除残留于基体上的聚硅氧烷系粘接剂,
所述清洗剂组合物包含氟化四(烃)铵和有机溶剂,所述有机溶剂包含式(1)所示的内酰胺化合物和含环状结构的醚化合物,所述含环状结构的醚化合物包含选自环状醚化合物、环状烷基链状烷基醚化合物、环状烷基支链状烷基醚化合物以及二(环状烷基)醚化合物中的至少一种,
式中,R101表示碳原子数1~6的烷基,R102表示碳原子数1~6的亚烷基。
2.根据权利要求1所述的清洗剂组合物,其中,
所述内酰胺化合物包含选自N-甲基-2-吡咯烷酮和N-乙基-2-吡咯烷酮中的至少一种。
3.根据权利要求1或2所述的清洗剂组合物,其中,
所述含环状结构的醚化合物包含选自环状醚化合物和环状烷基链状烷基醚化合物中的至少一种。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的清洗剂组合物,其中,
所述氟化四(烃)铵包含选自四甲基氟化铵、四乙基氟化铵、四丙基氟化铵以及四丁基氟化铵中的至少一种。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的清洗剂组合物,其中,
所述含环状结构的醚化合物与所述内酰胺化合物之比以质量比计为所述含环状结构的醚化合物:所述内酰胺化合物=30:70~80:20。
6.根据权利要求1所述的清洗剂组合物,其中,
所述内酰胺化合物包含选自N-甲基-2-吡咯烷酮和N-乙基-2-吡咯烷酮中的至少一种,
所述含环状结构的醚化合物包含选自环状醚化合物和环状烷基链状烷基醚化合物中的至少一种,
所述氟化四(烃)铵包含选自四甲基氟化铵、四乙基氟化铵、四丙基氟化铵以及四丁基氟化铵中的至少一种。
7.根据权利要求6所述的清洗剂组合物,其中,
所述含环状结构的醚化合物与所述内酰胺化合物之比以质量比计为所述含环状结构的醚化合物:所述内酰胺化合物=30:70~80:20。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的清洗剂组合物,其中,
所述残留于基体上的聚硅氧烷系粘接剂为由包含通过氢化硅烷化反应而固化的成分A的粘接剂组合物得到的粘接层的粘接剂残留物。
9.一种清洗方法,其特征在于,
使用权利要求1~8中任一项所述的清洗剂组合物,将残存于基体上的粘接剂残留物去除。
10.一种经加工的半导体基板的制造方法,其特征在于,包括:
第一工序,制造具备半导体基板、支承基板以及由粘接剂组合物得到的粘接层的层叠体;
第二工序,对所得到的层叠体的半导体基板进行加工;
第三工序,在加工后将半导体基板剥离;以及
第四工序,利用清洗剂组合物,对残存于剥离后的半导体基板上的粘接剂残留物进行清洗去除,
在所述制造方法中,使用权利要求1~8中任一项所述的清洗剂组合物作为所述清洗剂组合物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造