[发明专利]金通硅掩模电镀

权利要求书

1.一种蚀刻辅助的金(Au)通硅掩模电镀(EAG-TSM)的方法，所述方法包括：

在衬底上提供籽晶层；

在所述衬底上的所述籽晶层的至少一部分上提供硅掩模，所述硅掩模包括待用Au填充的一个或多个通孔；

使有掩模的所述衬底经受至少一个处理循环，每个处理循环包括电镀Au子步骤和蚀刻处理子步骤；以及

重复所述至少一个处理循环，直到达到所选定的通孔填充厚度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中通过蚀刻处理子步骤去除通过所述电镀子步骤沉积在通孔附近的残留Au。

3.根据权利要求2所述的方法，其还包括基于通孔填充程度与残余Au的程度的对比产生通孔填充效率。

4.根据权利要求3所述的方法，其还包括基于在所述电镀子步骤中所述Au电镀溶液的化学成分中包含三氧化硫(SO₃)来调节所述通孔填充效率。

5.根据权利要求3所述的方法，其还包括基于在所述电镀子步骤中在所述Au电镀溶液的化学成分中包含氰化物(CN)来调整所述通孔填充效率。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻处理子步骤中的蚀刻剂包括摩尔比为6:1的I-/I2。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻处理子步骤中的蚀刻剂包括摩尔比为1:3的王水。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个循环中的第一循环的循环时间等于所述至少一个循环中的第二循环的循环时间。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一个循环中的第一循环的循环时间不等于所述至少一个循环中的第二循环的循环时间。

10.根据权利要求1所述的方法，其中在使有掩模的所述衬底经受所述至少一个处理循环的第一时间段期间应用所述蚀刻处理子步骤的频率不同于在使有掩模的所述衬底经受所述至少一个处理循环的第二时间段期间应用所述蚀刻处理子步骤的频率。

11.一种用于蚀刻辅助的金(Au)通硅掩模电镀(EAG-TSM)的方法的电镀系统，所述系统包括：

阴极；

阳极；

原位衬底处理模块，其被配置为执行至少一个处理循环的交替子步骤，所述子步骤包括电镀Au子步骤和蚀刻处理子步骤，所述处理模块由每个子步骤操作共用；

机械手，其用于接收衬底或将所述衬底传送至所述处理模块，所述衬底包括籽晶层和位于所述衬底上的所述籽晶层的至少一部分上的硅掩模，所述硅掩模包括待通过所述电镀系统用Au填充的一个或多个通孔；

衬底保持器；以及

蚀刻剂输送装置，其能操作以在所述蚀刻处理子步骤期间输送蚀刻剂。

12.根据权利要求11所述的电镀系统，其中，在电镀Au子步骤期间，所述衬底保持器能操作以将所述衬底降低到所述处理模块中的电镀Au溶液中，并且在所述电镀Au子步骤之后将所述衬底从所述电镀溶液中取回。

13.根据权利要求12所述的电镀系统，其中，当所述衬底保持器处于取回位置时，所述衬底保持器还能操作以在所述蚀刻处理子步骤期间将所述衬底保持在蚀刻剂的路径中。

14.根据权利要求12所述的电镀系统，其中所述处理模块被配置为重复所述至少一个处理循环直到达到选定的通孔填充厚度。

15.根据权利要求12所述的电镀系统，其中，所述衬底保持器被配置为至少在所述蚀刻处理子步骤期间应用选定的衬底旋转速度。