[发明专利]Ni基超耐热合金以及Ni基超耐热合金的制造方法有效
申请号: | 202080015702.0 | 申请日: | 2020-03-24 |
公开(公告)号: | CN113454255B | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 青木宙也;伊达正芳;石田俊树 | 申请(专利权)人: | 日立金属株式会社 |
主分类号: | C22C19/05 | 分类号: | C22C19/05;C22F1/00;C22F1/10 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | ni 耐热合金 以及 制造 方法 | ||
1.一种Ni基超耐热合金,其特征在于,具有以质量%计C:0.10%以下、Si:0.5%以下、Mn:0.5%以下、P:0.05%以下、S:0.050%以下、Fe:45%以下、Cr:14.0~22.0%、Co:18.0%以下、Mo:8.0%以下、W:5.0%以下、Al:0.10~2.80%、Ti:0.50~5.50%、Nb:5.8%以下、Ta:2.0%以下、V:1.0%以下、B:0.030%以下、Zr:0.10%以下、Mg:0.005%以下、余量为Ni和不可避免的杂质的组成,并且通过SEM-EBSD法测定的晶粒内取向差参数GrainOrientation Spread(GOS)为0.7°以上。
2.根据权利要求1所述的Ni基超耐热合金,其中,所述Ni基超耐热合金的组成为C:0.08%以下、Si:0.2%以下、Mn:0.2%以下、P:0.02%以下、S:0.005%以下、Fe:45%以下、Cr:14.0~22.0%、Co:18.0%以下、Mo:8.0%以下、W:5.0%以下、Al:0.10~2.80%、Ti:0.50~5.50%、Nb:5.8%以下、Ta:2.0%以下、V:1.0%以下、B:0.030%以下、Zr:0.10%以下、Mg:0.005%以下、余量为Ni和不可避免的杂质。
3.一种Ni基超耐热合金的制造方法,其特征在于,其是如下的Ni基超耐热合金的制造方法:具有以质量%计C:0.10%以下、Si:0.5%以下、Mn:0.5%以下、P:0.05%以下、S:0.050%以下、Fe:45%以下、Cr:14.0~22.0%、Co:18.0%以下、Mo:8.0%以下、W:5.0%以下、Al:0.10~2.80%、Ti:0.50~5.50%、Nb:5.8%以下、Ta:2.0%以下、V:1.0%以下、B:0.030%以下、Zr:0.10%以下、Mg:0.005%以下、余量为Ni和不可避免的杂质的组成,并且通过SEM-EBSD法测定的晶粒内取向差参数Grain Orientation Spread(GOS)为0.7°以上,
所述制造方法包括:对具有所述组成的被热加工材进行加热至970~1005℃并保持1~6小时的模锻前加热处理,然后进行模锻而制成模锻材;
时效处理工序,对所述模锻材进行以700~750℃保持2~20小时的第1阶段时效处理,然后进行以600~650℃保持2~20小时的第2阶段时效处理,从而制成时效处理材。
4.一种Ni基超耐热合金的制造方法,其特征在于,其是如下的Ni基超耐热合金的制造方法:具有以质量%计C:0.10%以下、Si:0.5%以下、Mn:0.5%以下、P:0.05%以下、S:0.050%以下、Fe:45%以下、Cr:14.0~22.0%、Co:18.0%以下、Mo:8.0%以下、W:5.0%以下、Al:0.10~2.80%、Ti:0.50~5.50%、Nb:5.8%以下、Ta:2.0%以下、V:1.0%以下、B:0.030%以下、Zr:0.10%以下、Mg:0.005%以下、余量为Ni和不可避免的杂质的组成,并且通过SEM-EBSD法测定的晶粒内取向差参数Grain Orientation Spread(GOS)为0.7°以上,
所述制造方法包括:对具有所述组成的被热加工材进行加热至980~1050℃并保持1~6小时的四面锻造前加热处理,然后进行四面锻造而制成四面锻造材;
稳定化处理工序,将所述四面锻造材以830~860℃保持2~20小时,从而制成稳定化处理材;
时效处理工序,对所述稳定化处理材进行以740~780℃保持2~20小时的时效处理,从而制成时效处理材,
其中,以从所述四面锻造的锻造结束温度至900℃为止的冷却速度大于15℃/分钟的冷却速度进行冷却。
5.根据权利要求3或4所述的Ni基超耐热合金的制造方法,其中,所述Ni基超耐热合金的组成为C:0.08%以下、Si:0.2%以下、Mn:0.2%以下、P:0.02%以下、S:0.005%以下、Fe:45%以下、Cr:14.0~22.0%、Co:18.0%以下、Mo:8.0%以下、W:5.0%以下、Al:0.10~2.80%、Ti:0.50~5.50%、Nb:5.8%以下、Ta:2.0%以下、V:1.0%以下、B:0.030%以下、Zr:0.10%以下、Mg:0.005%以下、余量为Ni和不可避免的杂质。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立金属株式会社,未经日立金属株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202080015702.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体激光装置以及半导体激光元件
- 下一篇:用于腺相关病毒产生的悬浮系统