[发明专利]用于存储器装置的源极线配置在审

专利信息
申请号: 202080015745.9 申请日: 2020-02-11
公开(公告)号: CN113498540A 公开(公告)日: 2021-10-12
发明(设计)人: R·E·法肯索尔 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C16/04 分类号: G11C16/04;G11C16/10
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 彭晓文
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 存储器 装置 源极线 配置
【权利要求书】:

1.一种方法,其包括:

接收命令以对存储器单元执行写入操作,所述存储器单元包括具有用于存储所述存储器单元的逻辑状态的浮动栅极的第一晶体管及与所述第一晶体管的所述浮动栅极连接的第二晶体管;

至少部分基于接收所述命令而耦合连接到所述第一晶体管的源极线与连接到所述第二晶体管的数字线;

作为所述写入操作的部分将第一电压施加到所述数字线;

激活所述第二晶体管以将第二电压施加到所述第一晶体管的所述浮动栅极,所述第二电压至少部分基于所述第一电压;及

撤销激活所述第二晶体管以致使所述第一晶体管存储至少部分基于施加到所述第一晶体管的所述浮动栅极的所述第二电压的逻辑状态。

2.根根据权利要求1所述的方法,其中耦合所述源极线与所述数字线包括:

激活第二存储器单元中的第三晶体管,所述第三晶体管具有与所述数字线连接的第一节点、与所述源极线连接的第二节点及浮动栅极。

3.根据权利要求2所述的方法,其中:

激活所述第三晶体管包括将第三电压施加到所述第三晶体管的控制栅极,所述第三晶体管具有浮动栅极。

4.根据权利要求3所述的方法,其进一步包括:

在撤销激活所述第二晶体管之后刷新所述第二存储器单元。

5.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:

至少部分基于接收所述命令而将第四电压施加到与所述存储器单元相关联的字线,所述字线与所述第一晶体管的控制栅极且与所述第二晶体管的栅极连接。

6.根据权利要求5所述的方法,其中:

将所述第四电压施加到所述字线激活所述第二晶体管而不激活所述第一晶体管。

7.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:

接收第二命令以在撤销激活所述第二晶体管之后对所述存储器单元执行读取操作;

使所述源极线与所述数字线解耦合;

作为所述读取操作的部分激活第三存储器单元中的第四晶体管以耦合所述源极线与接地电压;及

在所述源极线与所述接地电压耦合时确定所述存储器单元的第二逻辑状态。

8.一种方法,其包括:

接收命令以对存储器单元执行读取操作,所述存储器单元包括具有用于存储所述存储器单元的逻辑状态的浮动栅极的第一晶体管及与所述第一晶体管的所述浮动栅极耦合的第二晶体管;

使与所述存储器单元的所述第一晶体管耦合的源极线接地;

作为所述读取操作的部分将第一电压施加到与所述存储器单元的所述第二晶体管连接的数字线;及

在所述源极线接地的持续时间的至少一部分期间至少部分基于所述数字线上的信号确定由所述存储器单元存储的所述逻辑状态。

9.根据权利要求8所述的方法,其中使所述源极线接地包括:

激活第二存储器单元中的第三晶体管,所述第三晶体管具有与所述源极线连接的第一节点、与接地电压连接的第二节点及浮动栅极。

10.根据权利要求9所述的方法,其中:

激活所述第三晶体管包括将第二电压施加到所述第三晶体管的控制栅极。

11.根据权利要求10所述的方法,其进一步包括:

通过将第三电压施加到所述第三晶体管的所述控制栅极而刷新所述第二存储器单元。

12.根据权利要求11所述的方法,其中所述第二存储器单元的所述刷新在确定由所述存储器单元存储的所述逻辑状态之后发生。

13.根据权利要求8所述的方法,其进一步包括:

作为所述读取操作的部分将第二电压施加到与所述第一晶体管的控制栅极连接的字线以激活所述第一晶体管。

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